SIHP17N60D-GE3 è obsoleto e non è più in produzione.
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Canale N 600 V 17 A (Tc) 277,8W (Tc) Foro passante TO-220AB
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SIHP17N60D-GE3

Codice DigiKey
SIHP17N60D-GE3-ND
Produttore
Codice produttore
SIHP17N60D-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 600 V 17 A (Tc) 277,8W (Tc) Foro passante TO-220AB
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
5V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
90 nC @ 10 V
Confezionamento
Tubo
Vgs (max)
±30V
Stato componente
Obsoleto
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1780 pF @ 100 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
277,8W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Tipo di montaggio
Foro passante
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
TO-220AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Contenitore/involucro
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340mohm a 8A, 10V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (18)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
SIHP15N60E-GE3Vishay Siliconix16’512SIHP15N60E-GE3-NDFr. 3.28000Consigliato dal produttore
AOT15S65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.67785-1511-5-NDFr. 3.19000Simile
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