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SIHP21N65EF-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SIHP21N65EF-GE3-ND |
Produttore | |
Codice produttore | SIHP21N65EF-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 21A TO220AB |
Tempi di consegna standard del produttore | 26 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 21 A (Tc) 208W (Tc) Foro passante TO-220AB |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 106 nC @ 10 V |
Confezionamento Tubo | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2322 pF @ 100 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 208W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Tipo di montaggio Foro passante |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-220AB |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 180mohm a 11A, 10V | Codice componente base |
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Sostituti (11)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP190N65F | onsemi | 569 | FCP190N65F-ND | Fr. 4.35000 | Simile |
| FCP190N65S3R0 | onsemi | 266 | 488-FCP190N65S3R0-ND | Fr. 2.17000 | Simile |
| IPP60R170CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | 2’000 | IPP60R170CFD7XKSA1-ND | Fr. 3.17000 | Simile |
| IPP65R190E6XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPP65R190E6XKSA1-ND | Fr. 1.33324 | Simile |
| IXFP24N60X | IXYS | 0 | IXFP24N60X-ND | Fr. 2.40673 | Simile |
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Tubo
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 4.60000 | Fr. 4.60 |
| 10 | Fr. 3.07100 | Fr. 30.71 |
| 100 | Fr. 2.20160 | Fr. 220.16 |
| 500 | Fr. 1.83092 | Fr. 915.46 |
| 1’000 | Fr. 1.71194 | Fr. 1’711.94 |
| 2’000 | Fr. 1.63006 | Fr. 3’260.12 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 4.60000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 4.97260 |
