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IPP65R190E6XKSA1 è obsoleto e non è più in produzione.
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IPP65R190E6XKSA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPP65R190E6XKSA1-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IPP65R190E6XKSA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 20,2 A (Tc) 151W (Tc) Foro passante PG-TO220-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPP65R190E6XKSA1 Modelli |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 3,5V a 730µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 73 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1620 pF @ 100 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 151W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Contenitore del fornitore PG-TO220-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 190mohm a 7,3 A, 10V |
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Sostituti (9)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPP65R190C7FKSA1 | Infineon Technologies | 1 | 448-IPP65R190C7FKSA1-ND | Fr. 3.32000 | Consigliato dal produttore |
| FCP150N65F | onsemi | 776 | FCP150N65FOS-ND | Fr. 4.99000 | Simile |
| FCP190N65F | onsemi | 569 | FCP190N65F-ND | Fr. 4.35000 | Simile |
| SIHP22N65E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP22N65E-GE3-ND | Fr. 1.61643 | Simile |
| SIHP24N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP24N65EF-GE3-ND | Fr. 2.04488 | Simile |
Obsoleto
