Canale N 25 V 64A (Ta), 201A (Tc) 4,8W (Ta), 48W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
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SIJA22DP-T1-GE3

Codice DigiKey
742-SIJA22DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
742-SIJA22DP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
742-SIJA22DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SIJA22DP-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 25V 64A/201A PPAK
Tempi di consegna standard del produttore
27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 25 V 64A (Ta), 201A (Tc) 4,8W (Ta), 48W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SIJA22DP-T1-GE3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
25 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
64A (Ta), 201A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs
0,74mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
125 nC @ 10 V
Vgs (max)
+20V, -16V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
6500 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
4,8W (Ta), 48W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PowerPAK® SO-8
Contenitore/involucro
PowerPAK® SO-8
Codice componente base
SIJA22
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In magazzino: 12’243
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.54000Fr. 1.54
10Fr. 0.98500Fr. 9.85
100Fr. 0.66370Fr. 66.37
500Fr. 0.52628Fr. 263.14
1’000Fr. 0.48985Fr. 489.85
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.42595Fr. 1’277.85
6’000Fr. 0.40020Fr. 2’401.20
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.54000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.66474
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