SIR401DP-T1-GE3
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SIR122DP-T1-RE3

Codice DigiKey
SIR122DP-T1-RE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SIR122DP-T1-RE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SIR122DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SIR122DP-T1-RE3
Descrizione
MOSFET N-CH 80V 16.7A/59.6A PPAK
Tempi di consegna standard del produttore
24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 80 V 16,7 A (Ta), 59,6 A (Tc) 5,2W (Ta), 65,7W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET® Gen IV
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
80 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
16,7 A (Ta), 59,6 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
7,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
7,4mohm a 10A, 10V
Vgs(th) max a Id
3,8V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1950 pF @ 40 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
5,2W (Ta), 65,7W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PowerPAK® SO-8
Contenitore/involucro
PowerPAK® SO-8
Codice componente base
SIR122
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In magazzino: 10’803
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 0.58000Fr. 0.58
10Fr. 0.47400Fr. 4.74
100Fr. 0.41050Fr. 41.05
500Fr. 0.39712Fr. 198.56
1’000Fr. 0.34762Fr. 347.62
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.28400Fr. 852.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.58000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.62698
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