Name: SIS890ADN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIS890ADN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.2972 CHF
Availability: InStock

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SIS890ADN-T1-GE3
Codice DigiKey	742-SIS890ADN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIS890ADN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIS890ADN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIS890ADN-T1-GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 7.6A/24.7A PPAK
Tempi di consegna standard del produttore	55 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 7,6A (Ta), 24,7A (Tc) 3,6W (Ta), 39W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 29 nC @ 10 V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1330 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,6W (Ta), 39W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 7,6A (Ta), 24,7A (Tc)	Contenitore/involucro PowerPAK® 1212-8
RDSon (max) a Id, Vgs 25,5mohm a 10A, 10V	Codice componente base SIS890
Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.20000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.29720

SIS890ADN-T1-GE3