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SISH536DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 742-SISH536DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SISH536DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SISH536DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SISH536DN-T1-GE3 |
Descrizione | N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE |
Tempi di consegna standard del produttore | 55 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 24,7A (Ta), 67,4A (Tc) 3,57W (Ta), 26,5W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8SH |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 3,25mohm a 10A, 10V |
Produttore | Vgs(th) max a Id 2,2V a 250µA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 25 nC @ 10 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Vgs (max) +16V, -12V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1150 pF @ 15 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 3,57W (Ta), 26,5W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8SH |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore/involucro |
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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.86000 | Fr. 0.86 |
| 10 | Fr. 0.53500 | Fr. 5.35 |
| 100 | Fr. 0.34950 | Fr. 34.95 |
| 500 | Fr. 0.26968 | Fr. 134.84 |
| 1’000 | Fr. 0.24395 | Fr. 243.95 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.21126 | Fr. 633.78 |
| 6’000 | Fr. 0.19480 | Fr. 1’168.80 |
| 9’000 | Fr. 0.18642 | Fr. 1’677.78 |
| 15’000 | Fr. 0.17700 | Fr. 2’655.00 |
| 21’000 | Fr. 0.17142 | Fr. 3’599.82 |
| 30’000 | Fr. 0.16600 | Fr. 4’980.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.86000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.92966 |
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