Name: SISS54DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISS54DN-T1-GE3TR-ND
Price: 2.21605 CHF
Availability: InStock

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SISS54DN-T1-GE3
Codice DigiKey	742-SISS54DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SISS54DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SISS54DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SISS54DN-T1-GE3
Descrizione	N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Tempi di consegna standard del produttore	55 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 51,1A (Ta), 185,6A (Tc) 5W (Ta), 65,7W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8S
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 1,06mohm a 20A, 10V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs(th) max a Id 2,2V a 250µA
Serie TrenchFET® Gen V	Carica del gate (Qg) max a Vgs 72 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +16V, -12V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3450 pF @ 15 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 5W (Ta), 65,7W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 51,1A (Ta), 185,6A (Tc)	Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8S
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro PowerPAK® 1212-8S