
SISH617DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SISH617DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SISH617DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SISH617DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SISH617DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 30V 13.9A/35A PPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 38 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 30 V 13,9 A (Ta), 35 A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8SH |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 59 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±25V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1800 pF @ 15 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 3,7W (Ta), 52W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8SH |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 12,3mohm a 13,9A, 10V |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.12000 | Fr. 1.12 |
| 10 | Fr. 0.70700 | Fr. 7.07 |
| 100 | Fr. 0.46770 | Fr. 46.77 |
| 500 | Fr. 0.36506 | Fr. 182.53 |
| 1’000 | Fr. 0.33199 | Fr. 331.99 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.29000 | Fr. 870.00 |
| 6’000 | Fr. 0.26887 | Fr. 1’613.22 |
| 9’000 | Fr. 0.25810 | Fr. 2’322.90 |
| 15’000 | Fr. 0.24601 | Fr. 3’690.15 |
| 21’000 | Fr. 0.23885 | Fr. 5’015.85 |
| 30’000 | Fr. 0.23662 | Fr. 7’098.60 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.12000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.21072 |


