
SISH625DN-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SISH625DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SISH625DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SISH625DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SISH625DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 30V 17.3A/35A PPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 19 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 30 V 17,3A (Ta), 35A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8SH |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 7mohm a 15A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 126 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 4427 pF @ 15 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 3,7W (Ta), 52W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® 1212-8SH | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 0.80000 | Fr. 0.80 |
10 | Fr. 0.49800 | Fr. 4.98 |
100 | Fr. 0.32500 | Fr. 32.50 |
500 | Fr. 0.25050 | Fr. 125.25 |
1’000 | Fr. 0.22647 | Fr. 226.47 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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3’000 | Fr. 0.19594 | Fr. 587.82 |
6’000 | Fr. 0.18057 | Fr. 1’083.42 |
9’000 | Fr. 0.17273 | Fr. 1’554.57 |
15’000 | Fr. 0.16644 | Fr. 2’496.60 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.80000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.86480 |