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SISH625DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SISH625DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SISH625DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SISH625DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SISH625DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 30V 17.3A/35A PPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 30 V 17,3A (Ta), 35A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8SH |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 126 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4427 pF @ 15 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 3,7W (Ta), 52W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8SH |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 7mohm a 15A, 10V |
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In magazzino: 14’372
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.92000 | Fr. 0.92 |
| 10 | Fr. 0.57600 | Fr. 5.76 |
| 100 | Fr. 0.37740 | Fr. 37.74 |
| 500 | Fr. 0.29210 | Fr. 146.05 |
| 1’000 | Fr. 0.26460 | Fr. 264.60 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.22966 | Fr. 688.98 |
| 6’000 | Fr. 0.21208 | Fr. 1’272.48 |
| 9’000 | Fr. 0.20312 | Fr. 1’828.08 |
| 15’000 | Fr. 0.19305 | Fr. 2’895.75 |
| 21’000 | Fr. 0.18709 | Fr. 3’928.89 |
| 30’000 | Fr. 0.18130 | Fr. 5’439.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.92000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.99452 |
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