
SISS23DN-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SISS23DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SISS23DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SISS23DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SISS23DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S |
Tempi di consegna standard del produttore | 38 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 20 V 50 A (Tc) 4,8W (Ta), 57W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8S |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SISS23DN-T1-GE3 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 900mV a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 300 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±8V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 8840 pF @ 15 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 4,8W (Ta), 57W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -50°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 20 V | Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8S |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,8V, 4,5V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 4,5mohm a 20A, 4,5V |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.25000 | Fr. 1.25 |
| 10 | Fr. 0.78900 | Fr. 7.89 |
| 100 | Fr. 0.52510 | Fr. 52.51 |
| 500 | Fr. 0.41174 | Fr. 205.87 |
| 1’000 | Fr. 0.37525 | Fr. 375.25 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.32892 | Fr. 986.76 |
| 6’000 | Fr. 0.30559 | Fr. 1’833.54 |
| 9’000 | Fr. 0.29372 | Fr. 2’643.48 |
| 15’000 | Fr. 0.28037 | Fr. 4’205.55 |
| 21’000 | Fr. 0.27450 | Fr. 5’764.50 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.25000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.35125 |











