SISHA04DN-T1-GE3
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SISS32LDN-T1-GE3

Codice DigiKey
742-SISS32LDN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
742-SISS32LDN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
742-SISS32LDN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
SISS32LDN-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK
Tempi di consegna standard del produttore
24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 80 V 17,4A (Ta), 63A (Tc) 5W (Ta), 65,7W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8SH
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
80 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
7,2mohm a 15A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2550 pF @ 40 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
5W (Ta), 65,7W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PowerPAK® 1212-8SH
Contenitore/involucro
Codice componente base
Product Questions and Answers

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In magazzino: 11’972
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.28000Fr. 1.28
10Fr. 0.88200Fr. 8.82
100Fr. 0.59450Fr. 59.45
500Fr. 0.46926Fr. 234.63
1’000Fr. 0.42897Fr. 428.97
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.34800Fr. 1’044.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.28000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.38368