
SISS4409DN-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | 742-SISS4409DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SISS4409DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SISS4409DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SISS4409DN-T1-GE3 |
Descrizione | P-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE |
Tempi di consegna standard del produttore | 19 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 40 V 17,2A (Ta), 59,2A (Tc) 4,8W (Ta), 56,8W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8S |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SISS4409DN-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 40 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 9mohm a 15A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,3V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 126 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 5670 pF @ 20 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 4,8W (Ta), 56,8W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® 1212-8S | |
Contenitore/involucro |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.41000 | Fr. 1.41 |
| 10 | Fr. 0.90400 | Fr. 9.04 |
| 100 | Fr. 0.62170 | Fr. 62.17 |
| 500 | Fr. 0.49856 | Fr. 249.28 |
| 1’000 | Fr. 0.45752 | Fr. 457.52 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.40204 | Fr. 1’206.12 |
| 6’000 | Fr. 0.39368 | Fr. 2’362.08 |
| 9’000 | Fr. 0.35230 | Fr. 3’170.70 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.41000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.52421 |






