Name: SISS92DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISS92DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.56745 CHF
Availability: InStock

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SISS92DN-T1-GE3
Codice DigiKey	SISS92DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SISS92DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SISS92DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SISS92DN-T1-GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 250V 3.4A/12.3A PPAK
Tempi di consegna standard del produttore	42 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 250 V 3,4A (Ta), 12,3A (Tc) 5,1W (Ta), 65,8W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8S
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 16 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 350 pF @ 125 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 5,1W (Ta), 65,8W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 250 V	Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8S
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3,4A (Ta), 12,3A (Tc)	Contenitore/involucro PowerPAK® 1212-8S
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 7,5V, 10V	Codice componente base SISS92
RDSon (max) a Id, Vgs 173mohm a 3,6A, 10V