
SISS94DN-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | 742-SISS94DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SISS94DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SISS94DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SISS94DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 200V 5.4A/19.5A PPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 33 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 200 V 5,4A (Ta), 19,5A (Tc) 5,1W (Ta), 65,8W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8S |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SISS94DN-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 200 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 7,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 75mohm a 5,4A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 21 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 350 pF @ 100 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 5,1W (Ta), 65,8W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® 1212-8S | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.14000 | Fr. 1.14 |
| 10 | Fr. 0.72200 | Fr. 7.22 |
| 100 | Fr. 0.47870 | Fr. 47.87 |
| 500 | Fr. 0.37458 | Fr. 187.29 |
| 1’000 | Fr. 0.34106 | Fr. 341.06 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.29848 | Fr. 895.44 |
| 6’000 | Fr. 0.27706 | Fr. 1’662.36 |
| 9’000 | Fr. 0.26615 | Fr. 2’395.35 |
| 15’000 | Fr. 0.26390 | Fr. 3’958.50 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.14000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.23234 |





