
SISS94DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 742-SISS94DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SISS94DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SISS94DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SISS94DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 200V 5.4A/19.5A PPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 42 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 200 V 5,4A (Ta), 19,5A (Tc) 5,1W (Ta), 65,8W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8S |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SISS94DN-T1-GE3 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 21 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 350 pF @ 100 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 5,1W (Ta), 65,8W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 200 V | Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8S |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 7,5V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 75mohm a 5,4A, 10V |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.19000 | Fr. 1.19 |
| 10 | Fr. 0.75200 | Fr. 7.52 |
| 100 | Fr. 0.49880 | Fr. 49.88 |
| 500 | Fr. 0.39028 | Fr. 195.14 |
| 1’000 | Fr. 0.35535 | Fr. 355.35 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.31099 | Fr. 932.97 |
| 6’000 | Fr. 0.28867 | Fr. 1’732.02 |
| 9’000 | Fr. 0.27730 | Fr. 2’495.70 |
| 15’000 | Fr. 0.26453 | Fr. 3’967.95 |
| 21’000 | Fr. 0.25697 | Fr. 5’396.37 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.19000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.28639 |


