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SISS98DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SISS98DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SISS98DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SISS98DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SISS98DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 200V 14.1A PPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 42 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 200 V 14,1 A (Tc) 57W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8S |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SISS98DN-T1-GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 14 nC @ 7.5 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 608 pF @ 100 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 57W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 200 V | Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8S |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 7,5V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 105mohm a 7A, 10V |
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In magazzino: 60’027
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.34000 | Fr. 1.34 |
| 10 | Fr. 0.84800 | Fr. 8.48 |
| 100 | Fr. 0.56630 | Fr. 56.63 |
| 500 | Fr. 0.44544 | Fr. 222.72 |
| 1’000 | Fr. 0.40653 | Fr. 406.53 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.35712 | Fr. 1’071.36 |
| 6’000 | Fr. 0.33226 | Fr. 1’993.56 |
| 9’000 | Fr. 0.31959 | Fr. 2’876.31 |
| 15’000 | Fr. 0.30537 | Fr. 4’580.55 |
| 21’000 | Fr. 0.30235 | Fr. 6’349.35 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.34000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.44854 |
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