
SISS98DN-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SISS98DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SISS98DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SISS98DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SISS98DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 200V 14.1A PPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 28 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 200 V 14,1 A (Tc) 57W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SISS98DN-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 200 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 7,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 105mohm a 7A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 14 nC @ 7.5 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 608 pF @ 100 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 57W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® 1212-8 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 1.13000 | Fr. 1.13 |
10 | Fr. 0.76500 | Fr. 7.65 |
100 | Fr. 0.54360 | Fr. 54.36 |
500 | Fr. 0.42752 | Fr. 213.76 |
1’000 | Fr. 0.39018 | Fr. 390.18 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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3’000 | Fr. 0.35280 | Fr. 1’058.40 |
6’000 | Fr. 0.32458 | Fr. 1’947.48 |
9’000 | Fr. 0.32262 | Fr. 2’903.58 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.13000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.22153 |