SIZF4800LDT-T1-GE3
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SIZF4800LDT-T1-GE3

Codice DigiKey
742-SIZF4800LDT-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
742-SIZF4800LDT-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
742-SIZF4800LDT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SIZF4800LDT-T1-GE3
Descrizione
MOSFET 2N-CH 80V 10A PWRPAIR
Tempi di consegna standard del produttore
24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 80V 10 A (Ta), 36 A (Tc) 4,5W (Ta), 56,8W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAIR® 3x3FS
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SIZF4800LDT-T1-GE3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (semiponte)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
80V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
10 A (Ta), 36 A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs
19mohm a 10A, 10V
Vgs(th) max a Id
2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
23nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
950pF a 40V
Potenza - Max
4,5W (Ta), 56,8W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
12-PowerPair™
Contenitore del fornitore
PowerPAIR® 3x3FS
Product Questions and Answers

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In magazzino: 5’437
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.76000Fr. 1.76
10Fr. 1.19100Fr. 11.91
100Fr. 0.81890Fr. 81.89
500Fr. 0.65494Fr. 327.47
1’000Fr. 0.63832Fr. 638.32
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.52150Fr. 1’564.50
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.76000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.90256
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