Name: ISG0616N10NM5HSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1TR-ND
Price: 5.04827 CHF
Availability: OutOfStock

MOSFET - Array 100V 19A (Ta), 139A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) A montaggio superficiale PG-WHITFN-10-1

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ISG0616N10NM5HSCATMA1
Codice DigiKey	448-ISG0616N10NM5HSCATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	ISG0616N10NM5HSCATMA1
Descrizione	MOSFET 2N-CH 100V 19A 10WHITFN
Tempi di consegna standard del produttore	48 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 100V 19A (Ta), 139A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) A montaggio superficiale PG-WHITFN-10-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	RDSon (max) a Id, Vgs 4mohm a 50A, 10V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 3,8V a 85µA
Serie OptiMOS™ 5	Carica del gate (Qg) max a Vgs 78nC a 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4800pF a 50V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 3W (Ta), 167W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Configurazione 2 canali N (semiponte)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100V	Contenitore/involucro 10-PowerWDFN
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 19A (Ta), 139A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-WHITFN-10-1