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ISG0616N10NM5HSCATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | ISG0616N10NM5HSCATMA1 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 100V 19A 10WHITFN |
Tempi di consegna standard del produttore | 18 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 100V 19A (Ta), 139A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) A montaggio superficiale PG-WHITFN-10-1 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | Infineon Technologies | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (semiponte) | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 100V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 19A (Ta), 139A (Tc) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 4mohm a 50A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,8V a 85µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 78nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 4800pF a 50V | |
Potenza - Max | 3W (Ta), 167W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 10-PowerWDFN | |
Contenitore del fornitore | PG-WHITFN-10-1 |
In magazzino: 918
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 4.52000 | Fr. 4.52 |
| 10 | Fr. 3.01800 | Fr. 30.18 |
| 100 | Fr. 2.16630 | Fr. 216.63 |
| 500 | Fr. 2.11140 | Fr. 1’055.70 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 1.72500 | Fr. 5’175.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 4.52000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 4.88612 |
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