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SIZF5302DT-T1-RE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 742-SIZF5302DT-T1-RE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIZF5302DT-T1-RE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIZF5302DT-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIZF5302DT-T1-RE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 28.1A PWRPAIR |
Tempi di consegna standard del produttore | 55 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 28,1A (Ta), 100A (Tc) 3,8W (Ta), 48,1W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAIR® 3x3FS |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIZF5302DT-T1-RE3 Modelli |
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria | Vgs(th) max a Id 2V a 250µA |
Produttore Vishay Siliconix | Carica del gate (Qg) max a Vgs 22,2nC a 10V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1030pF a 15V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Potenza - Max 3,8W (Ta), 48,1W (Tc) |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Contenitore/involucro 12-PowerPair™ |
Tensione drain/source (Vdss) 30V | Contenitore del fornitore PowerPAIR® 3x3FS |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 28,1A (Ta), 100A (Tc) | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 3,2mohm a 10A, 10V |
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In magazzino: 2’251
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.22000 | Fr. 2.22 |
| 10 | Fr. 1.43100 | Fr. 14.31 |
| 100 | Fr. 0.98240 | Fr. 98.24 |
| 500 | Fr. 0.79030 | Fr. 395.15 |
| 1’000 | Fr. 0.74146 | Fr. 741.46 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.65024 | Fr. 1’950.72 |
| 6’000 | Fr. 0.61084 | Fr. 3’665.04 |
| 9’000 | Fr. 0.60577 | Fr. 5’451.93 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.22000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.39982 |
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