
SIZF5302DT-T1-RE3 | |
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Codice DigiKey | 742-SIZF5302DT-T1-RE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIZF5302DT-T1-RE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIZF5302DT-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIZF5302DT-T1-RE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 28.1A PWRPAIR |
Tempi di consegna standard del produttore | 27 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 28,1A (Ta), 100A (Tc) 3,8W (Ta), 48,1W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAIR® 3x3FS |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIZF5302DT-T1-RE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 30V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 28,1A (Ta), 100A (Tc) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 3,2mohm a 10A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 22,2nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1030pF a 15V | |
Potenza - Max | 3,8W (Ta), 48,1W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 12-PowerPair™ | |
Contenitore del fornitore | PowerPAIR® 3x3FS | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.98000 | Fr. 1.98 |
| 10 | Fr. 1.27800 | Fr. 12.78 |
| 100 | Fr. 0.87350 | Fr. 87.35 |
| 500 | Fr. 0.70054 | Fr. 350.27 |
| 1’000 | Fr. 0.69218 | Fr. 692.18 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.57435 | Fr. 1’723.05 |
| 6’000 | Fr. 0.56550 | Fr. 3’393.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.98000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.14038 |











