Name: SQ1912EH-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ1912EH-T1_GE3TR-ND
Price: 0.51888 CHF
Availability: InStock

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SQ1912EH-T1_GE3
Codice DigiKey	SQ1912EH-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQ1912EH-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQ1912EH-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SQ1912EH-T1_GE3
Descrizione	MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SC70-6
Tempi di consegna standard del produttore	22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 20V 800mA (Tc) 1,5W A montaggio superficiale SC-70-6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SQ1912EH-T1_GE3 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	2 canali N (doppio)
Funzione FET	-
Tensione drain/source (Vdss)	20V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	800mA (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs	280mohm a 1,2A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	1,15nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	75pF a 10V
Potenza - Max	1,5W
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Contenitore del fornitore	SC-70-6
Codice componente base	SQ1912

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Nastrato in bobina (TR)