
SQ4425EY-T1_GE3 | |
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Codice DigiKey | SQ4425EY-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQ4425EY-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQ4425EY-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SQ4425EY-T1_GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC |
Tempi di consegna standard del produttore | 17 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 30 V 18 A (Tc) 6,8W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 12mohm a 13A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 50 nC @ 4.5 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 3630 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 6,8W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | 8-SOIC | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 1.98000 | Fr. 1.98 |
10 | Fr. 1.37700 | Fr. 13.77 |
100 | Fr. 0.94480 | Fr. 94.48 |
500 | Fr. 0.76340 | Fr. 381.70 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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2’500 | Fr. 0.62370 | Fr. 1’559.25 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.98000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.14038 |