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SQ4917EY-T1_GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 742-SQ4917EY-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SQ4917EY-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) |
Produttore | |
Codice produttore | SQ4917EY-T1_GE3 |
Descrizione | MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 60V 8 A (Tc) 5W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) | |
Stato componente | Obsoleto | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali P (doppio) | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 60V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 8 A (Tc) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 48mohm a 4,3A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 65nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1910pF a 30V | |
Potenza - Max | 5W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TA) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) | |
Contenitore del fornitore | 8-SOIC | |
Codice componente base |
In magazzino: 763
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.06000 | Fr. 2.06 |
| 10 | Fr. 1.32600 | Fr. 13.26 |
| 100 | Fr. 0.90860 | Fr. 90.86 |
| 500 | Fr. 0.72982 | Fr. 364.91 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.06000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.22686 |
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