Name: SQ4920EY-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ4920EY-T1_GE3TR-ND
Price: 2.15119 CHF
Availability: InStock

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SQ4920EY-T1_GE3
Codice DigiKey	SQ4920EY-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQ4920EY-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQ4920EY-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SQ4920EY-T1_GE3
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 8A 4,4W A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	RDSon (max) a Id, Vgs 14,5mohm a 6A, 10V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA
Serie TrenchFET®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 30nC a 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1465pF a 15V
Stato componente Data di acquisto finale	Potenza - Max 4,4W
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Configurazione 2 canali N (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione drain/source (Vdss) 30V	Contenitore del fornitore 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 8A	Codice componente base SQ4920

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Classificazioni ambientali e di esportazione

Altre risorse

Sostituti (12)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
SQ4920EY-T1_BE3	Vishay Siliconix	397	742-SQ4920EY-T1_BE3CT-ND	Fr. 1.99000	Diretto
SQ4920CEY-T1_GE3	Vishay Siliconix	2’500	742-SQ4920CEY-T1_GE3CT-ND	Fr. 1.11000	Consigliato dal produttore
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Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.99000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 2.15119

SQ4920EY-T1_GE3