8-SOIC
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SQ4949EY-T1_GE3

Codice DigiKey
SQ4949EY-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SQ4949EY-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SQ4949EY-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SQ4949EY-T1_GE3
Descrizione
MOSFET 2P-CH 30V 7.5A 8SOIC
Tempi di consegna standard del produttore
17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V 7,5 A (Tc) 3,3W A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali P (doppio)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
7,5 A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs
35mohm a 5,9A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
30nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1020pF a 25V
Potenza - Max
3,3W
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Contenitore del fornitore
8-SOIC
Codice componente base
SQ4949
Product Questions and Answers

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In magazzino: 45’414
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.83000Fr. 1.83
10Fr. 1.19900Fr. 11.99
100Fr. 0.81670Fr. 81.67
500Fr. 0.65316Fr. 326.58
1’000Fr. 0.63623Fr. 636.23
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’500Fr. 0.51980Fr. 1’299.50
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.83000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.97823
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