Name: SQJ412EP-T2_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJ412EP-T2_GE3TR-ND
Price: 0.55953 CHF
Availability: OutOfStock

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Vishay Siliconix

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SQJ412EP-T2_GE3
Codice DigiKey	742-SQJ412EP-T2_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SQJ412EP-T2_GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
Tempi di consegna standard del produttore	22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 32 A (Tc) 83W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	32 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	4,1mohm a 10,3A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	120 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	5950 pF @ 20 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	83W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PowerPAK® SO-8
Contenitore/involucro	PowerPAK® SO-8
Codice componente base	SQJ412

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Nastrato in bobina (TR)