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SQJ951EP-T1_GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SQJ951EP-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQJ951EP-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQJ951EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SQJ951EP-T1_GE3 |
Descrizione | MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 23 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 30A 56W A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SQJ951EP-T1_GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 50nC a 10V |
Produttore Vishay Siliconix | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1680pF a 10V |
Serie | Potenza - Max 56W |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Stato componente Attivo | Grado Automobilistico |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Qualifica AEC-Q101 |
Configurazione 2 canali P (doppio) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 30V | Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8 doppio |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 30A | Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8 doppio |
RDSon (max) a Id, Vgs 17mohm a 7,5A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA |
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In magazzino: 3’763
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.79000 | Fr. 1.79 |
| 10 | Fr. 1.14700 | Fr. 11.47 |
| 100 | Fr. 0.77830 | Fr. 77.83 |
| 500 | Fr. 0.62012 | Fr. 310.06 |
| 1’000 | Fr. 0.56926 | Fr. 569.26 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.50471 | Fr. 1’514.13 |
| 6’000 | Fr. 0.47223 | Fr. 2’833.38 |
| 9’000 | Fr. 0.45570 | Fr. 4’101.30 |
| 15’000 | Fr. 0.45240 | Fr. 6’786.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.79000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.93499 |
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