PowerPAK 8 x 8
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SQJQ900E-T1_GE3

Codice DigiKey
SQJQ900E-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SQJQ900E-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SQJQ900E-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
SQJQ900E-T1_GE3
Descrizione
MOSFET 2N-CH 40V 100A PPAK8X8
Tempi di consegna standard del produttore
22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 40V 100 A (Tc) 75W A montaggio superficiale PowerPAK® 8 x 8 doppio
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SQJQ900E-T1_GE3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
40V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
100 A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs
3,9mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
120nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
5900pF a 20V
Potenza - Max
75W
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
PowerPAK® 8 x 8 doppio
Contenitore del fornitore
PowerPAK® 8 x 8 doppio
Codice componente base
Domande e risposte sui prodotti

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In magazzino: 1’980
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 2.71000Fr. 2.71
10Fr. 1.76600Fr. 17.66
100Fr. 1.22860Fr. 122.86
500Fr. 1.05740Fr. 528.70
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’000Fr. 0.86390Fr. 1’727.80
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 2.71000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 2.92951