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SQJQ910EL-T1_GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SQJQ910EL-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQJQ910EL-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQJQ910EL-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SQJQ910EL-T1_GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 100V 70A PPAK8X8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 100V 70 A (Tc) 187W A montaggio superficiale PowerPAK® 8 x 8 doppio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SQJQ910EL-T1_GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 58nC a 10V |
Produttore Vishay Siliconix | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2832pF a 50V |
Serie | Potenza - Max 187W |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Stato componente Attivo | Grado Automobilistico |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Qualifica AEC-Q101 |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 100V | Contenitore/involucro PowerPAK® 8 x 8 doppio |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 70 A (Tc) | Contenitore del fornitore PowerPAK® 8 x 8 doppio |
RDSon (max) a Id, Vgs 8,6mohm a 10A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA |
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In magazzino: 1’567
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.81000 | Fr. 2.81 |
| 10 | Fr. 1.83100 | Fr. 18.31 |
| 100 | Fr. 1.27430 | Fr. 127.43 |
| 500 | Fr. 1.03626 | Fr. 518.13 |
| 1’000 | Fr. 1.02393 | Fr. 1’023.93 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’000 | Fr. 0.89550 | Fr. 1’791.00 |
| 4’000 | Fr. 0.84148 | Fr. 3’365.92 |
| 6’000 | Fr. 0.83655 | Fr. 5’019.30 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.81000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 3.03761 |
