
SQS481ENW-T1_GE3 | |
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Codice DigiKey | SQS481ENW-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQS481ENW-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQS481ENW-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SQS481ENW-T1_GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 150V 4.7A PPAK1212-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 23 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 150 V 4,7 A (Tc) 62,5W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SQS481ENW-T1_GE3 Modelli |
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 11 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 385 pF @ 75 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Dissipazione di potenza (max) 62,5W (Tc) |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 150 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 1,095ohm a 5A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 3,5V a 250µA |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.30000 | Fr. 1.30 |
| 10 | Fr. 0.82300 | Fr. 8.23 |
| 100 | Fr. 0.54860 | Fr. 54.86 |
| 500 | Fr. 0.43090 | Fr. 215.45 |
| 1’000 | Fr. 0.39302 | Fr. 393.02 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.34493 | Fr. 1’034.79 |
| 6’000 | Fr. 0.32073 | Fr. 1’924.38 |
| 9’000 | Fr. 0.30840 | Fr. 2’775.60 |
| 15’000 | Fr. 0.29456 | Fr. 4’418.40 |
| 21’000 | Fr. 0.29027 | Fr. 6’095.67 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.30000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.40530 |










