Equivalente parametrico

W949D2DBJX5E TR | |
|---|---|
Codice DigiKey | W949D2DBJX5ETR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | W949D2DBJX5E TR |
Descrizione | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | SDRAM - LPDDR mobile Memoria IC 512Mbit Parallelo 200 MHz 5 ns 90-VFBGA (8x13) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Interfaccia di memoria Parallelo |
Produttore | Frequenza di clock 200 MHz |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Durata ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns |
Stato componente Attivo | Tempo di accesso 5 ns |
Programmabile da DigiKey Non verificato | Tensione - Alimentazione 1,7 ~ 1,95V |
Tipo di memoria Volatile | Temperatura di funzionamento -25°C ~ 85°C (TC) |
Formato memoria | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tecnologia SDRAM - LPDDR mobile | Contenitore/involucro |
Dimensioni memoria | Contenitore del fornitore 90-VFBGA (8x13) |
Organizzazione della memoria 16M x 32 | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| W949D2DBJX5E | Winbond Electronics | 0 | W949D2DBJX5E-ND | Fr. 9.34533 | Equivalente parametrico |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 9.34535 | Fr. 23’363.38 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 9.34535 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 10.10232 |


