XP3R303GMT-L YAGEO XSEMI | Prodotti a semiconduttore discreti

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YAGEO XSEMI

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XP3R303GMT-L
Codice DigiKey	5048-XP3R303GMT-LTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 5048-XP3R303GMT-LCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 5048-XP3R303GMT-LDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	YAGEO XSEMI
Codice produttore	XP3R303GMT-L
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 31A 105A PMPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 31A (Ta), 105A (Tc) 5W (Ta), 56,8W (Tc) A montaggio superficiale PMPAK® 5 x 6
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	YAGEO XSEMI
Serie	XP3R303
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	31A (Ta), 105A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	3,3mohm a 30A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	21 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2240 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	5W (Ta), 56,8W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PMPAK® 5 x 6
Contenitore/involucro	8-PowerLDFN