XP4509AGM YAGEO XSEMI | Prodotti a semiconduttore discreti

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YAGEO XSEMI

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XP4509AGM
Codice DigiKey	5048-XP4509AGMTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 5048-XP4509AGMCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 5048-XP4509AGMDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	YAGEO XSEMI
Codice produttore	XP4509AGM
Descrizione	MOSFET N/P-CH 30V 11.2A 8SO
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 11,2A (Ta), 8A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	YAGEO XSEMI
Serie	XP4509A
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Obsoleto
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	Canale N e P
Funzione FET	-
Tensione drain/source (Vdss)	30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	11,2A (Ta), 8A (Ta)
RDSon (max) a Id, Vgs	10mohm a 10A, 10V, 21mohm a 7A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	19,2nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1140pF a 25V, 2000pF a 25V
Potenza - Max	2W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Contenitore del fornitore	8-SO