XP4509AGM YAGEO XSEMI | Array FET, MOSFET

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YAGEO XSEMI

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XP4509AGM
Codice DigiKey	5048-XP4509AGMTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 5048-XP4509AGMCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 5048-XP4509AGMDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	YAGEO XSEMI
Codice produttore	XP4509AGM
Descrizione	MOSFET N/P-CH 30V 11.2A 8SO
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 11,2A (Ta), 8A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	RDSon (max) a Id, Vgs 10mohm a 10A, 10V, 21mohm a 7A, 10V
Produttore YAGEO XSEMI	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Serie XP4509A	Carica del gate (Qg) max a Vgs 19,2nC a 4,5V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1140pF a 25V, 2000pF a 25V
Stato componente Obsoleto	Potenza - Max 2W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione Canale N e P	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30V	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 11,2A (Ta), 8A (Ta)	Contenitore del fornitore 8-SO

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
XP3C011M	YAGEO XSEMI	0	5048-XP3C011MTR-ND	Fr. 0.14607	Consigliato dal produttore

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