FET, MOSFET RF

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Codice produttore	Quantità disponibile	Prezzo	Serie	Contenitore	Stato del prodotto	Tecnologia	Configurazione	Frequenza	Guadagno	Tensione - Test	Corrente nominale (A)	Cifra di rumore	Corrente - Test	Potenza - Uscita	Tensione - Nominale	Grado	Qualifica	Tipo di montaggio	Contenitore/involucro	Contenitore del fornitore
MMBF5485 RF MOSFET JFET 15V SOT23-3 onsemi	33’841 In magazzino	1 : Fr. 0.35000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 0.07650 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	JFET	Canale N	400MHz	-	15 V	10mA	4dB	-	-	25 V	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
CE3512K2-C1 RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROX CEL	25’190 In magazzino	1 : Fr. 1.31000 Nastro pre-tagliato (CT) 10’000 : Fr. 0.63090 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	pHEMT FET	-	12GHz	13,7dB	2 V	15mA	0,5dB	10 mA	125mW	4 V	-	-	-	4-Micro-X	4-Micro-X
CE3520K3-C1 RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROX CEL	377 In magazzino	1 : Fr. 1.79000 Nastro pre-tagliato (CT) 10’000 : Fr. 0.88843 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	pHEMT FET	-	20GHz	13,8dB	2 V	15mA	0,8dB	10 mA	125mW	4 V	-	-	-	4-Micro-X	4-Micro-X
AFT05MS004NT1 RF MOSFET LDMOS 7.5V SOT89A NXP USA Inc.	7’745 In magazzino	1 : Fr. 3.08000 Nastro pre-tagliato (CT) 1’000 : Fr. 1.70953 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Non per nuovi progetti	LDMOS	-	520MHz	20,9dB	7.5 V	-	-	100 mA	4,9W	30 V	-	-	A montaggio superficiale	TO-243AA	SOT-89A
AFT09MS007NT1 RF MOSFET LDMOS 7.5V PLD-1.5W NXP USA Inc.	5’889 In magazzino	1 : Fr. 10.16000 Nastro pre-tagliato (CT) 1’000 : Fr. 6.21569 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Non per nuovi progetti	LDMOS	-	870MHz	15,2dB	7.5 V	-	-	100 mA	7,3W	30 V	-	-	A montaggio superficiale	PLD-1,5W	PLD-1,5W
TAV2-501+ RF MOSFET E-PHEMT 4.5V MC1631-1 Mini-Circuits	5’592 In magazzino	1 : Fr. 10.79000 Nastro pre-tagliato (CT) 2’000 : Fr. 1.26389 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	E-pHEMT	-	400MHz ~ 3,9GHz	23,5dB	4.5 V	-	1,3dB	280 mA	-	7 V	-	-	A montaggio superficiale	8-TFDFN piazzola esposta	MC1631-1
SAV-551+ RF MOSFET E-PHEMT 3V MMM1362 Mini-Circuits	4’573 In magazzino	1 : Fr. 14.25000 Nastro pre-tagliato (CT) 1’000 : Fr. 0.93377 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	E-pHEMT	-	45MHz ~ 6GHz	20,9dB	3 V	-	1,8dB	15 mA	20dBm	5 V	-	-	A montaggio superficiale	SC-82A, SOT-343	MMM1362
SAV-541+ RF MOSFET E-PHEMT 3V MMM1362 Mini-Circuits	2’310 In magazzino	1 : Fr. 14.25000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 1.36765 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	E-pHEMT	-	45MHz ~ 6GHz	23,2dB	3 V	-	1,9dB	60 mA	21,5dB	5 V	-	-	A montaggio superficiale	SC-82A, SOT-343	MMM1362
BLP9LA25SGZ RF MOSFET LDMOS SOT1483-1 Ampleon USA Inc.	960 In magazzino	1 : Fr. 14.53000 Nastro pre-tagliato (CT) 500 : Fr. 9.39020 Nastrato in bobina (TR)	BLP	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	LDMOS	-	1MHz ~ 941MHz	18,4dB	-	-	-	-	25W	13.6 V	-	-	A montaggio superficiale	SOT-1483-1	SOT1483-1
BLP9G0722-20GZ RF MOSFET LDMOS 28V SOT1483-1 Ampleon USA Inc.	1’215 In magazzino	1 : Fr. 15.54000 Nastro pre-tagliato (CT) 500 : Fr. 10.08864 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	LDMOS	-	400MHz ~ 2,7GHz	19dB	28 V	1,4µA	-	180 mA	43dBm	65 V	-	-	A montaggio superficiale	SOT-1483-1	SOT1483-1
BLP15H9S10GZ RF MOSFET LDMOS 50V SOT1483-1 Ampleon USA Inc.	1’535 In magazzino	1 : Fr. 17.37000 Nastro pre-tagliato (CT) 500 : Fr. 11.36672 Nastrato in bobina (TR)	BLP	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	LDMOS	Doppio, sorgente comune	1,4GHz	22dB	50 V	1,4µA	-	60 mA	10W	104 V	-	-	A montaggio superficiale	SOT-1483-1	SOT1483-1
BLP15H9S30GZ RF MOSFET LDMOS SOT1483-1 Ampleon USA Inc.	2’705 In magazzino	1 : Fr. 18.16000 Nastro pre-tagliato (CT) 500 : Fr. 11.91520 Nastrato in bobina (TR)	BLP	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	LDMOS	-	1MHz ~ 1,5GHz	17dB	-	-	-	-	30W	50 V	-	-	A montaggio superficiale	SOT-1483-1	SOT1483-1
BLP15H9S30Z RF MOSFET LDMOS 50V SOT1482-1 Ampleon USA Inc.	695 In magazzino	1 : Fr. 18.16000 Nastro pre-tagliato (CT) 500 : Fr. 11.91520 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	LDMOS	-	1,5GHz	22dB	50 V	1,4µA	-	10 mA	30W	106 V	-	-	A montaggio superficiale	SOT-1482-1	SOT-1482-1
MW6S004NT1 RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5 NXP USA Inc.	3’533 In magazzino	1 : Fr. 19.78000 Nastro pre-tagliato (CT) 1’000 : Fr. 12.71841 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Non per nuovi progetti	LDMOS	-	1,96GHz	18dB	28 V	-	-	50 mA	4W	68 V	-	-	A montaggio superficiale	PLD-1,5	PLD-1,5
BLP0427M9S20GZ RF MOSFET LDMOS 28V SOT1483-1 Ampleon USA Inc.	483 In magazzino	1 : Fr. 20.69000 Nastro pre-tagliato (CT) 500 : Fr. 13.69436 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	LDMOS	-	400MHz ~ 2,7GHz	19dB	28 V	1,4µA	-	100 mA	20W	65 V	-	-	A montaggio superficiale	SOT-1483-1	SOT1483-1
AFT05MS031GNR1 RF MOSFET LDMOS 13.6V TO270-2 NXP USA Inc.	881 In magazzino	1 : Fr. 30.30000 Nastro pre-tagliato (CT) 500 : Fr. 20.43700 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Non per nuovi progetti	LDMOS	-	520MHz	17,7dB	13.6 V	-	-	10 mA	31W	40 V	-	-	A montaggio superficiale	TO-270BA	TO-270-2 GULL
MHT1803A RF MOSFET TO247 NXP USA Inc.	291 In magazzino	1 : Fr. 31.35000 Tubo	-	Tubo	Non per nuovi progetti	LDMOS	Canale N	1,8 ~ 50MHz	28,2dB	50 V	-	-	50 mA	300W	50 V	-	-	Foro passante	3-SIP	3-SIL
MHT1803B RF MOSFET TO247 NXP USA Inc.	638 In magazzino	1 : Fr. 31.89000 Tubo	-	Tubo	Non per nuovi progetti	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MRF136 RF MOSFET 28V 211-07 MACOM Technology Solutions	500 In magazzino	1 : Fr. 37.64000 Vassoio	-	Vassoio	Attivo	MOSFET (ossido di metallo)	Canale N	400MHz	16dB	28 V	2,5A	1dB	25 mA	15W	65 V	-	-	-	211-07	211-07, Tipo 2
CGH40006S RF MOSFET HEMT 28V 6QFN MACOM Technology Solutions	230 In magazzino	1 : Fr. 39.72000 Nastro pre-tagliato (CT) 200 : Fr. 28.17250 Nastrato in bobina (TR)	GaN	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	HEMT	-	0Hz ~ 6GHz	12dB	28 V	-	-	100 mA	8W	84 V	-	-	A montaggio superficiale	6-VDFN piazzola esposta	16-QFN (3x3)
AFT05MP075NR1 RF MOSFET LDMOS 12.5V TO270-4 NXP USA Inc.	2’496 In magazzino	1 : Fr. 48.84000 Nastro pre-tagliato (CT) 500 : Fr. 33.92854 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Non per nuovi progetti	LDMOS	Doppio	520MHz	18,5dB	12.5 V	-	-	400 mA	70W	40 V	-	-	A montaggio superficiale	TO-270AB	TO-270 WB-4
QPD0030 DC-4 GHZ, 45W, 48V GAN RF PWR TR Qorvo	260 In magazzino	1 : Fr. 65.49000 Nastro pre-tagliato (CT) 250 : Fr. 33.45412 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	GaN HEMT	-	5GHz	15,5dB	48 V	-	-	150 mA	45W	55 V	-	-	A montaggio superficiale	20-VFQFN piazzola esposta	20-QFN (3x4)
MRF300BN RF MOSFET LDMOS 50V TO247 NXP USA Inc.	276 In magazzino	1 : Fr. 71.06000 Tubo	-	Tubo	Non per nuovi progetti	LDMOS	-	27MHz ~ 250MHz	18,7dB	50 V	-	-	-	300W	-	-	-	Foro passante	TO-247-3	TO-247
MRF300AN RF MOSFET LDMOS 50V TO247 NXP USA Inc.	267 In magazzino	1 : Fr. 71.78000 Tubo	-	Tubo	Non per nuovi progetti	LDMOS	-	27MHz ~ 250MHz	28dB	50 V	-	-	-	300W	-	-	-	Foro passante	TO-247-3	TO-247
CGH40010F RF MOSFET HEMT 28V 440166 MACOM Technology Solutions	546 In magazzino	1 : Fr. 76.27000 Vassoio	GaN	Vassoio	Non per nuovi progetti	HEMT	-	0Hz ~ 6GHz	14,5dB	28 V	3,5A	-	200 mA	12,5W	84 V	-	-	-	440166	440166

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I transistor RF, FET e MOSFET sono dispositivi a semiconduttori dotati di tre terminali. Il flusso di corrente che li attraversa è controllato mediante un campo elettrico. I dispositivi di questa famiglia sono destinati all'impiego nelle apparecchiature che utilizzano frequenze radio. I tipi di transistor per l'amplificazione o la commutazione di segnali o potenza includono E-pHEMT, LDMOS, MESFET, canale N, canale P, pHEMT, carburo di silicio, 2 canali N e 4 canali N.

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