Moduli driver di potenza

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Codice produttore	Quantità disponibile	Prezzo	Serie	Contenitore	Stato del prodotto	Tipo	Configurazione	Corrente	Tensione	Tensione - Isolamento	Grado	Qualifica	Tipo di montaggio	Contenitore/involucro
IKCM30F60GAXKMA1 IGBT IPM 600V 30A 24-PWRDIP MOD Infineon Technologies	583 In magazzino	1 : Fr. 13.21000 Tubo	CIPOS™	Tubo	Attivo	IGBT	Trifase	30 A	600 V	2000Vrms	-	-	Foro passante	Modulo 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
FSBB20CH60C IGBT IPM 600V 20A 27-PWRDIP MOD onsemi	243 In magazzino	1 : Fr. 18.10000 Tubo	Motion SPM® 3	Tubo	Non per nuovi progetti	IGBT	Trifase	20 A	600 V	2500Vrms	-	-	Foro passante	Modulo 27-PowerDIP (1,205", 30,60mm)
STK541UC62K-E IGBT IPM 600V 10A 23-PWRSIP MOD onsemi	139 In magazzino	1 : Fr. 18.73000 Tubo	-	Tubo	Non per nuovi progetti	IGBT	Trifase	10 A	600 V	2000Vrms	-	-	Foro passante	Modulo 23-PowerSIP, 19 conduttori, conduttori formati
FSBB30CH60C IGBT IPM 600V 30A 27-PWRDIP MOD onsemi	364 In magazzino 3’840 Fabbrica	1 : Fr. 20.54000 Tubo	Motion SPM® 3	Tubo	Non per nuovi progetti	IGBT	Trifase	30 A	600 V	2500Vrms	-	-	Foro passante	Modulo 27-PowerDIP (1,205", 30,60mm)
LMG3522R030RQSR MOSFET IPM 650V 55A 52-VQFN Texas Instruments	1’130 In magazzino	1 : Fr. 20.75000 Nastro pre-tagliato (CT) 2’000 : Fr. 10.39083 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET	Inverter a semiponte	55 A	650 V	-	-	-	A montaggio superficiale	52-VQFN piazzola esposta
FNB34060T IGBT IPM 600V 40A 27-PWRDIP MOD onsemi	780 In magazzino 240 Fabbrica	1 : Fr. 22.63000 Tubo	Motion SPM® 3	Tubo	Attivo	IGBT	Invertitori trifase	40 A	600 V	2500Vrms	-	-	Foro passante	Modulo 27-PowerDIP (1,205", 30,60mm)
IM818LCCXKMA1 IGBT IPM 1.2KV 20A 24-PWRDIP MOD Infineon Technologies	178 In magazzino	1 : Fr. 23.56000 Tubo	CIPOS™	Tubo	Attivo	IGBT	Invertitori trifase	20 A	1.2 kV	2500Vrms	-	-	Foro passante	Modulo 24-PowerDIP (1,094", 27,80mm)
IM828XCCXKMA1 MOSFET IPM 1.2KV 35A 24-PWRDIP Infineon Technologies	86 In magazzino	1 : Fr. 68.14000 Tubo	CIPOS™	Tubo	Attivo	MOSFET	Invertitori trifase	35 A	1.2 kV	2500Vrms	-	-	Foro passante	Modulo 24-PowerDIP (1,094", 27,80mm)
FDMF5062 MOSFET IPM 30V 70A 39-PWRVFQFN onsemi	4’513 In magazzino	1 : Fr. 4.04000 Nastro pre-tagliato (CT) 3’000 : Fr. 1.48500 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET	Monofase	70 A	30 V	-	-	-	A montaggio superficiale	39-PowerVFQFN
NV6127 MOSFET IPM 650V 12A 30-PWRVQFN Navitas Semiconductor, Inc.	3’660 In magazzino	1 : Fr. 4.72000 Nastro pre-tagliato (CT) 5’000 : Fr. 2.46000 Nastrato in bobina (TR)	GaNFast™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET	Semiponte	12 A	650 V	-	-	-	A montaggio superficiale	30-PowerVQFN
NV6128 MOSFET IPM 650V 20A 30-PWRVQFN Navitas Semiconductor, Inc.	2’991 In magazzino	1 : Fr. 6.91000 Nastro pre-tagliato (CT) 5’000 : Fr. 3.95658 Nastrato in bobina (TR)	GaNFast™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	MOSFET	Semiponte	20 A	650 V	-	-	-	A montaggio superficiale	30-PowerVQFN
IKCM10H60GAXKMA1 IGBT IPM 600V 10A 24-PWRDIP MOD Infineon Technologies	272 In magazzino	1 : Fr. 7.53000 Tubo	CIPOS™	Tubo	Attivo	IGBT	Trifase	10 A	600 V	2000Vrms	-	-	Foro passante	Modulo 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
IM06B30AC1XKMA1 IGBT IPM 650V 30A 24-PWRDIP MOD Infineon Technologies	142 In magazzino	1 : Fr. 7.56000 Vassoio	CIPOS™	Vassoio	Attivo	IGBT	Invertitori trifase	30 A	650 V	2000Vrms	-	-	Foro passante	Modulo 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
IGCM10F60GAXKMA1 IGBT IPM 600V 10A 24-PWRDIP MOD Infineon Technologies	160 In magazzino	1 : Fr. 8.38000 Tubo	CIPOS™	Tubo	Attivo	IGBT	Trifase	10 A	600 V	2000Vrms	-	-	Foro passante	Modulo 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
IKCM15H60GAXKMA2 IGBT IPM 600V 15A 24-PWRDIP MOD Infineon Technologies	463 In magazzino	1 : Fr. 8.47000 Tubo	CIPOS™	Tubo	Attivo	IGBT	Trifase	15 A	600 V	2000Vrms	-	-	Foro passante	Modulo 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
IKCM15F60GAXKMA1 IGBT IPM 600V 15A 24-PWRDIP MOD Infineon Technologies	129 In magazzino	1 : Fr. 9.38000 Tubo	CIPOS™	Tubo	Attivo	IGBT	Trifase	15 A	600 V	2000Vrms	-	-	Foro passante	Modulo 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
STGIB10CH60TS-L IGBT IPM 600V 15A 26-PWRDIP MOD STMicroelectronics	173 In magazzino	1 : Fr. 10.94000 Tubo	SLLIMM™	Tubo	Attivo	IGBT	Invertitori trifase	15 A	600 V	1500Vrms	-	-	Foro passante	Modulo 26-PowerDIP (1,157", 29,40mm)
STGIB15CH60TS-L IGBT IPM 600V 20A 26-PWRDIP MOD STMicroelectronics	156 In magazzino	1 : Fr. 11.15000 Tubo	SLLIMM™	Tubo	Attivo	IGBT	Invertitori trifase	20 A	600 V	1500Vrms	-	-	Foro passante	Modulo 26-PowerDIP (1,157", 29,40mm)
FNB41060 IGBT IPM 600V 10A 26-PWRDIP MOD onsemi	288 In magazzino	1 : Fr. 12.33000 Tubo	Motion SPM® 45	Tubo	Attivo	IGBT	Trifase	10 A	600 V	2000Vrms	-	-	Foro passante	Modulo 26-PowerDIP (1,024", 26,00mm)
IKCM20L60GDXKMA1 IGBT IPM 600V 20A 24-PWRDIP MOD Infineon Technologies	168 In magazzino	1 : Fr. 12.59000 Tubo	CIPOS™	Tubo	Attivo	IGBT	Trifase	20 A	600 V	2000Vrms	-	-	Foro passante	Modulo 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
NFAQ1060L36T IGBT IPM 600V 10A 38-PWRDIP MOD onsemi	615 In magazzino	1 : Fr. 13.14000 Tubo	-	Tubo	Attivo	IGBT	Invertitori trifase	10 A	600 V	2000Vrms	-	-	Foro passante	Modulo 38-PowerDIP (0,610", 24,00mm), 24 conduttori
IKCM20R60GDXKMA1 IGBT IPM 600V 20A 24-PWRDIP MOD Infineon Technologies	283 In magazzino	1 : Fr. 13.22000 Tubo	CIPOS™	Tubo	Attivo	IGBT	Bifase	20 A	600 V	2000Vrms	-	-	Foro passante	Modulo 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
FPDB40PH60B IGBT IPM 600V 40A 27-PWRDIP MOD onsemi	109 In magazzino	1 : Fr. 16.13000 Tubo	PFC SPM® 3	Tubo	Non per nuovi progetti	IGBT	Bifase	40 A	600 V	2500Vrms	-	-	Foro passante	Modulo 27-PowerDIP (1,205", 30,60mm)
IM06B50GC1XKMA1 IGBT IPM 600V 35A 24-PWRDIP MOD Infineon Technologies	174 In magazzino	1 : Fr. 20.12000 Tubo	CIPOS™	Tubo	Attivo	IGBT	Invertitori trifase	35 A	600 V	2000Vrms	-	-	Foro passante	Modulo 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
FSBB10CH120D IGBT IPM 1.2KV 10A 27-PWRDIP MOD onsemi	105 In magazzino	1 : Fr. 20.16000 Tubo	Motion SPM® 3	Tubo	Non per nuovi progetti	IGBT	Trifase	10 A	1.2 kV	2500Vrms	-	-	Foro passante	Modulo 27-PowerDIP (1,205", 30,60mm)

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I moduli driver di potenza forniscono il contenimento fisico dei componenti di potenza, solitamente IGBT e MOSFET in configurazioni a semiponte o a una, due o tre fasi. I semiconduttori di potenza o die sono saldati o sinterizzati su un substrato di sostegno dei semiconduttori di potenza che fornisce il contatto elettrico e termico e, dove necessario, ha il ruolo di dielettrico. I moduli di potenza forniscono una maggiore densità di potenza e sono in molti casi più affidabili e più facili da raffreddare.

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