Fototransistor

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Quantità disponibile
Prezzo
Serie
Contenitore
Stato del prodotto
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
Corrente - Collettore (Ic) max
Corrente - Buio (Id) max
Lunghezza d'onda
Angolo di visione
Potenza - Max
Tipo di montaggio
Orientamento
Temperatura di funzionamento
Grado
Qualifica
Contenitore/involucro
3’535
In magazzino
1 : Fr. 0.25000
Nastro pre-tagliato (CT)
4’000 : Fr. 0.10801
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
5.5 V
-
100 nA
630nm
-
-
A montaggio superficiale
-
-40°C ~ 85°C
-
-
2-SMD, senza piombo
2-SMD, No Lead(Blk)
SENSOR PHOTO SIDE VIEW 2SMD
Kingbright
35’940
In magazzino
1 : Fr. 0.29000
Nastro pre-tagliato (CT)
2’000 : Fr. 0.09733
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
30 V
-
100 nA
-
-
100 mW
Montaggio superficiale ad angolo retto
Vista laterale
-40°C ~ 85°C
-
-
2-SMD, senza piombo
QSD122,QSD123,QSD124
SENSOR PHOTO 880NM TOP VIEW RAD
onsemi
30’011
In magazzino
1 : Fr. 0.56000
Sfuso
-
Sfuso
Attivo
30 V
-
100 nA
880nm
24°
100 mW
Foro passante
Vista dall'alto
-40°C ~ 100°C
-
-
Radiale, 5mm diam (T 1 3/4)
TEPT5700
SENSOR PHOTO 570NM TOP VIEW RAD
Vishay Semiconductor Opto Division
11’719
In magazzino
1 : Fr. 0.56000
Sfuso
-
Sfuso
Attivo
6 V
20 mA
50 nA
570nm
100°
100 mW
Foro passante
Vista dall'alto
-40°C ~ 85°C
-
-
Radiale
OP140x,169x, 2xxx, 550x, 560x,565x
SENSOR PHOTO 935NM SIDE VIEW RAD
TT Electronics/Optek Technology
9’823
In magazzino
1 : Fr. 0.57000
Sfuso
-
Sfuso
Attivo
30 V
4.7 mA
100 nA
935nm
-
100 mW
Foro passante
Vista laterale
-40°C ~ 100°C
-
-
Radiale
OP(5,7)93x
SENSOR PHOTO 890NM TOP VIEW RAD
TT Electronics/Optek Technology
4’417
In magazzino
1 : Fr. 0.58000
Sfuso
-
Sfuso
Attivo
30 V
50 mA
100 nA
890nm
-
250 mW
Foro passante
Vista dall'alto
-40°C ~ 100°C
-
-
Radiale
OP(5,7)98x
SENSOR PHOTO 890NM TOP VIEW TO18
TT Electronics/Optek Technology
2’991
In magazzino
1 : Fr. 0.58000
Sfuso
-
Sfuso
Attivo
30 V
50 mA
100 nA
890nm
-
250 mW
Foro passante
Vista dall'alto
-40°C ~ 100°C
-
-
TO-18-2
OP140x,169x, 2xxx, 550x, 560x,565x
SENSOR PHOTO 935NM SIDE VIEW RAD
TT Electronics/Optek Technology
3’133
In magazzino
1 : Fr. 0.58000
Sfuso
-
Sfuso
Attivo
30 V
4.7 mA
100 nA
935nm
-
100 mW
Foro passante
Vista laterale
-40°C ~ 100°C
-
-
Radiale
0805-SMD
SENSOR PHOTO 550NM TOP VIEW 0805
Vishay Semiconductor Opto Division
10’196
In magazzino
1 : Fr. 0.66000
Nastro pre-tagliato (CT)
3’000 : Fr. 0.38672
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
6 V
20 mA
50 nA
550nm
120°
100 mW
A montaggio superficiale
Vista dall'alto
-40°C ~ 100°C
Automobilistico
AEC-Q101
0805 (2012 metrico)
72’049
In magazzino
1 : Fr. 0.67000
Nastro pre-tagliato (CT)
6’000 : Fr. 0.19919
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
20 V
50 mA
100 nA
860nm
30°
100 mW
A montaggio superficiale
Vista dall'alto
-40°C ~ 100°C
Automobilistico
AEC-Q101
2-SMD, piegato a Z
66’244
In magazzino
1 : Fr. 0.67000
Nastro pre-tagliato (CT)
6’000 : Fr. 0.23434
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
20 V
50 mA
100 nA
860nm
30°
100 mW
A montaggio superficiale
Vista dall'alto
-40°C ~ 100°C
Automobilistico
AEC-Q101
2-SMD, ad ala di gabbiano
VEMT2520X01
PHOTOTRANSISTOR 470 TO 1090 NM
Vishay Semiconductor Opto Division
15’171
In magazzino
1 : Fr. 0.67000
Nastro pre-tagliato (CT)
6’000 : Fr. 0.23434
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
20 V
50 mA
1 nA
850nm
30°
100 mW
A montaggio superficiale
Vista dall'alto
-40°C ~ 100°C
Automobilistico
AEC-Q101
2-SMD, ad ala di gabbiano
sfh 3710-z
SENSOR PHOTO 570NM TOP VIEW 0805
ams-OSRAM USA INC.
4’096
In magazzino
1 : Fr. 0.68000
Nastro pre-tagliato (CT)
3’000 : Fr. 0.24965
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Data di acquisto finale
5.5 V
20 mA
50 nA
570nm
120°
-
A montaggio superficiale
Vista dall'alto
-40°C ~ 85°C
-
-
0805 (2012 metrico)
27’897
In magazzino
1 : Fr. 0.69000
Nastro pre-tagliato (CT)
3’000 : Fr. 0.25226
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
20 V
50 mA
1 nA
860nm
70°
100 mW
Montaggio superficiale ad angolo retto
Vista laterale
-40°C ~ 100°C
Automobilistico
AEC-Q101
2-SMD, Vista laterale
TEMT1000
SENSOR PHOTO 950NM TOP VIEW 2SMD
Vishay Semiconductor Opto Division
18’594
In magazzino
1 : Fr. 0.69000
Nastro pre-tagliato (CT)
1’000 : Fr. 0.27753
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
70 V
50 mA
200 nA
950nm
30°
100 mW
A montaggio superficiale
Vista dall'alto
-40°C ~ 85°C
-
-
2-SMD, piegato a Z
TEMT1020
PHOTOTRANSISTOR 730 TO 1000 NM
Vishay Semiconductor Opto Division
8’318
In magazzino
1 : Fr. 0.69000
Nastro pre-tagliato (CT)
1’000 : Fr. 0.27753
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
70 V
50 mA
200 nA
880nm
30°
100 mW
A montaggio superficiale
Vista dall'alto
-40°C ~ 85°C
-
-
2-SMD, ad ala di gabbiano
RPM-075PTT86
SENSOR PHOTO 600NM TOP VIEW SMD
Rohm Semiconductor
41’124
In magazzino
1 : Fr. 0.72000
Nastro pre-tagliato (CT)
3’000 : Fr. 0.26410
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
20 V
10 mA
500 nA
600nm
120°
50 mW
A montaggio superficiale
Vista dall'alto
-30°C ~ 85°C
-
-
SMD non standard
TEMT6000X01_top
SENSOR PHOTO 570NM TOP VIEW 1206
Vishay Semiconductor Opto Division
5’953
In magazzino
1 : Fr. 0.74000
Nastro pre-tagliato (CT)
3’000 : Fr. 0.43448
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
6 V
20 mA
50 nA
570nm
120°
100 mW
A montaggio superficiale
Vista dall'alto
-40°C ~ 100°C
Automobilistico
AEC-Q101
1206 (3216 metrico)
SFH 3710
SENSOR PHOTO 570NM TOP VIEW 0805
ams-OSRAM USA INC.
5’517
In magazzino
1 : Fr. 0.76000
Nastro pre-tagliato (CT)
3’000 : Fr. 0.28320
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Data di acquisto finale
5.5 V
20 mA
50 nA
570nm
120°
-
A montaggio superficiale
Vista dall'alto
-40°C ~ 85°C
-
-
0805 (2012 metrico)
SFH 3310
SENSOR PHOTO 570NM TOP VIEW RAD
ams-OSRAM USA INC.
26’351
In magazzino
1 : Fr. 0.85000
Sfuso
-
Sfuso
Attivo
5.5 V
20 mA
50 nA
570nm
150°
-
Foro passante
Vista dall'alto
-40°C ~ 100°C
-
-
Radiale
OP(60x64x),900SL
SENSOR PHOTO 890NM TOP VIEW PILL
TT Electronics/Optek Technology
1’966
In magazzino
1 : Fr. 1.98000
Sfuso
-
Sfuso
Attivo
25 V
50 mA
100 nA
890nm
-
50 mW
A montaggio superficiale
Vista dall'alto
-65°C ~ 125°C
-
-
Pastiglia
OP8xxSL
SENSOR PHOTO 890NM TOP TO206AA
TT Electronics/Optek Technology
2’879
In magazzino
1 : Fr. 2.14000
Sfuso
-
Sfuso
Attivo
30 V
50 mA
100 nA
890nm
-
250 mW
Foro passante
Vista dall'alto
-65°C ~ 125°C
-
-
TO-206AA, TO-18-3 contenitore metallico
OP8xxSL
SENSOR PHOTO 890NM TOP TO206AA
TT Electronics/Optek Technology
5’026
In magazzino
1 : Fr. 2.22000
Sfuso
-
Sfuso
Attivo
30 V
50 mA
100 nA
890nm
-
250 mW
Foro passante
Vista dall'alto
-65°C ~ 125°C
-
-
TO-206AA, TO-18-3 contenitore metallico
OP8xxSL
SENSOR PHOTO TOP VIEW TO206AA
TT Electronics/Optek Technology
296
In magazzino
1 : Fr. 2.52000
Sfuso
-
Sfuso
Attivo
15 V
50 mA
1 µA
-
-
250 mW
Foro passante
Vista dall'alto
-65°C ~ 125°C
-
-
TO-206AA, TO-18-3 contenitore metallico
BPW76B
PHOTOTRANSISTOR 450 TO 1080 NM
Vishay Semiconductor Opto Division
12’778
In magazzino
1 : Fr. 2.88000
Sfuso
-
Sfuso
Attivo
70 V
50 mA
100 nA
850nm
20°
250 mW
Foro passante
Vista dall'alto
-40°C ~ 125°C
-
-
TO-206AA, TO-18-3 contenitore metallico
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Fototransistor


I prodotti della famiglia dei fototransistor sono componenti discreti sensibili alla luce che si comportano in modo simile a un transistor bipolare ma, invece di una corrente elettrica applicata a un terminale, utilizzano la luce incidente per provocare la conduzione del dispositivo. Rispetto ai fotodiodi, i fototransistor producono generalmente una corrente di uscita molto più grande a parità di intensità della luce incidente, anche se sono più lenti a rispondere alle variazioni dell'intensità luminosa. Queste differenze fanno sì che i fototransistor siano più semplici da applicare, ma meno utili per il funzionamento ad alta velocità.