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SiC Gate Drivers
onsemi
This presentation will introduce onsemi's NCP51561 5 kV isolation silicon carbide, silicon junction MOSFET gate driver. It will discuss turning on and off a silicon junction MOSFET versus a silicon carbide MOSFET. Gate driver undervoltage lockout will be explained relative to the Miller plateau region of both silicon junction and silicon carbide MOSFETs. It will also explain the benefits of the NCP51561 negative bias driving silicon carbide MOSFETs during turn off. Finally, this module will explore a first-order approximation for gate drive strength calculation for the NTH4L022N120M3S 1200 V, 22 mΩ silicon carbide MOSFET.
Related Parts
| Immagine | Codice produttore | Descrizione | Quantità disponibile | Prezzo | Vedi i dettagli | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | NCP51561DADWR2G | DGTL ISO 5KV 2CH GATE DVR 16SOIC | 249 - Immediatamente 16000 - Scorte di fabbrica | $2.94 | Vedi i dettagli |
| | NCP51561BADWR2G | DGTL ISO 5KV 2CH GATE DVR 16SOIC | 0 - Immediatamente | $2.94 | Vedi i dettagli |
| | NCP51561BBDWR2G | DGTL ISO 5KV 2CH GATE DVR 16SOIC | 137 - Immediatamente | $2.94 | Vedi i dettagli |
| | NCP51561DBDWR2G | DGTL ISO 5KV 2CH GATE DVR 16SOIC | 767 - Immediatamente 2000 - Scorte di fabbrica | $2.94 | Vedi i dettagli |
|  | NTH4L022N120M3S | SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V | 1232 - Immediatamente 37800 - Scorte di fabbrica | $15.53 | Vedi i dettagli |
PTM Published on: 2023-05-16
Svizzera