



IPT012N08N5ATMA1 | |
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Codice DigiKey | IPT012N08N5ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPT012N08N5ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPT012N08N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPT012N08N5ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF |
Tempi di consegna standard del produttore | 18 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 80 V 300 A (Tc) 375W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOF-8-1 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPT012N08N5ATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 80 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 6V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 1,2mohm a 150A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,8V a 280µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 223 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 17000 pF @ 40 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 375W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-HSOF-8-1 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 5.40000 | Fr. 5.40 |
| 10 | Fr. 3.67700 | Fr. 36.77 |
| 100 | Fr. 3.15170 | Fr. 315.17 |
| 500 | Fr. 3.07922 | Fr. 1’539.61 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’000 | Fr. 2.56367 | Fr. 5’127.34 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 5.40000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 5.83740 |
















