EliteSiC-N-Kanal-MOSFETs NTH4L

Die Leistung der SiC-Systeme NTH4L von onsemi öffnet die Türen für innovative, platzsparende Designs

Abbildung: EliteSiC-N-Kanal MOSFETs NTH4L von onsemiDie EliteSiC-MOSFETs NTH4L von onsemi bieten hervorragende Leistung und Effizienz. Sie bieten eine ausgezeichnete Schaltleistung und eine sehr hohe Zuverlässigkeit. Der niedrige Durchlasswiderstand und die kompakte Chipgröße sorgen für einen minimalen Leistungsabfall und machen die Systeme der Anwender äußerst effizient. Die kompakte Größe des Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC) maximiert den Platzbedarf bei gleichbleibender Leistung. Er zeichnet sich durch eine reduzierte elektromagnetische Interferenz (EMI) aus, die einen reibungsloseren Betrieb ohne störende Interferenzen ermöglicht.

Merkmale/Funktionen
  • Extrem niedrige Gateladung
  • Schnelles Schalten mit geringen Kapazitäten
  • Kein Rückwärtserholungsstrom der Diode
  • Konfiguration der Kelvinquelle
  • Zu 100 % auf ungesperrtes induktives Schalten geprüft (UIL)
  • RoHS-konform
Anwendungen/Zielmärkte
  • Telekommunikation
  • Cloud-Systeme
  • Industrielle Anwendungen

NTH4L EliteSiC N-Channel MOSFETs

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNELNTH4L015N065SC1SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL1599 - Sofort
9450 - Lagerbestand des Herstellers
$21.60Details anzeigen
SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SENTH4L014N120M3PSIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE535 - Sofort
8550 - Lagerbestand des Herstellers
$23.52Details anzeigen
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNELNTH4L045N065SC1SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL188 - Sofort
11250 - Lagerbestand des Herstellers
$8.32Details anzeigen
SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4NTH4L040N120SC1SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4582 - Sofort
6750 - Lagerbestand des Herstellers
$17.72Details anzeigen
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1NTH4L025N065SC1SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1167 - Sofort
12600 - Lagerbestand des Herstellers
$16.59Details anzeigen
SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4NTH4L080N120SC1SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4350 - Sofort$9.77Details anzeigen
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNELNTH4L060N090SC1SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL478 - Sofort
450 - Lagerbestand des Herstellers
$11.03Details anzeigen
SICFET N-CH 1200V 102A TO247NTH4L020N120SC1SICFET N-CH 1200V 102A TO247574 - Sofort
29250 - Lagerbestand des Herstellers
$25.57Details anzeigen
SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247NTH4L160N120SC1SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247498 - Sofort
3600 - Lagerbestand des Herstellers
$5.63Details anzeigen
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 5NTH4L075N065SC1SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 5414 - Sofort
450 - Lagerbestand des Herstellers
$8.52Details anzeigen
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET  ELNTH4L070N120M3SSILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL378 - Sofort
67050 - Lagerbestand des Herstellers
$7.42Details anzeigen
SIC MOS TO247-4L 650VNTH4L060N065SC1SIC MOS TO247-4L 650V489 - Sofort
7650 - Lagerbestand des Herstellers
$8.15Details anzeigen
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELINTH4L040N120M3SSILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI174 - Sofort
185400 - Lagerbestand des Herstellers
$12.10Details anzeigen
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET  ELNTH4L030N120M3SSILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL285 - Sofort
386100 - Lagerbestand des Herstellers
$10.63Details anzeigen
SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SERNTH4L028N170M1SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER766 - Sofort
9450 - Lagerbestand des Herstellers
$29.61Details anzeigen
Veröffentlicht: 2024-02-09