Dynamiser l'avenir avec chaque commutateur

La combinaison parfaite de circuits d'attaque de grille et de commutateurs de puissance par Infineon.

Infineon propose un portefeuille complet de circuits d'attaque de grille EiceDRIVER™ avec diverses configurations, classes de tension, niveaux d'isolement, fonctionnalités de protection et options de boîtier. Les circuits d'attaque de grille EiceDRIVER™ complètent les composants discrets et modules IGBT, les MOSFET en silicium (CoolMOS™, OptiMOS™ et StrongIRFET™) et en carbure de silicium (CoolSiC™), ainsi que les transistors HEMT en nitrure de gallium (CoolGaN™) d'Infineon, ou font partie des modules de puissance intégrés (IPM CIPOS™ et IPM intelligents iMOTION™).

  • Charge de véhicules électriques
  • Outils électriques sans fil/robotique/véhicules électriques légers (LEV)
  • Pompe à chaleur
  • Ressources

Avec l'essor de l'électromobilité, des chargeurs rapides de véhicules électriques en courant continu (CC) sont nécessaires pour assurer une charge efficace. Les chargeurs CC offrent une charge plus rapide que les chargeurs CA standard. Un chargeur CC de 150 kW peut recharger un véhicule électrique pour une distance de 200 km en 15 minutes. Grâce à son expertise en matière d'électromobilité et d'alimentation électrique, Infineon représente un partenaire naturel pour faire progresser la technologie de charge CC pour véhicules électriques.

Circuits d'attaque de grille recommandés

Application Classe de tension (V) Configuration Produit Courant source/récepteur typ. Boîtiers Description Commutateurs et modules de puissance appropriés
CC/CC
(< 22 kW)		 600 V Haut potentiel et bas potentiel IRS2186S 4/4 A DSO-8 Fort courant pour une puissance élevée et une fréquence de commutation rapide CoolMOS™ MOSFET
IPW60R018CFD7
IPW60R037CSFD

CoolSIC™ MOSFET
IMZ120R030M1H
IMZA120R040M1H

Diode Schottky CoolSIC™
IDW40G120C5B
IDWD40G120C5

Module CoolSIC™
FF33MR12W1M1H (P)_B11
F4-33MR12W1M1H(P)_B11
FF33MR12W1M1HPB11BPSA1
650 V 2ED2110S06M 2,5/2,5 A DSO-16 7,62 mm Silicium sur isolant (SOI) d'Infineon, diode auto-élévatrice intégrée (BSD), changement de niveau rapide, arrêt, VSS/COM séparés
650 V 22ED2181S06F 2,5/2,5 A DSO-8 Silicium sur isolant (SOI) d'Infineon, diode auto-élévatrice intégrée (BSD), HIN, LIN
2300 V Isolé à 1 canal 1ED3125MU12F 10/9 A DSO-8 EiceDRIVER™ X3 Compact avec blocage Miller
1200 V Haut potentiel et bas potentiel IR2213S 2/2,5 A DSO-16 7,62 mm Arrêt et alimentation séparée
1200 V Demi-pont IR2214SS 2/3 A SSOP-24 DESAT, arrêt progressif, mise en marche en deux étapes, signalement des défauts, synchronisation
CC/CC
(< 50 kW)		 2300 V Isolé à 1 canal IED3124MU12F 13,5/14 A DSO-8 EiceDRIVER™ X3 Compact avec sortie séparée CoolMOS™ MOSFET
IPW60R018CFD7
IPW60R037CSFD

CoolSIC™ MOSFET
IMZ120R030M1H
IMZ120R040M1H

Diode Schottky CoolSIC™
IDW40G120C5B
IDWD40G120C5

Module CoolSIC™
FF8MR12W1M1H(P)_B11
FF17MR12W1M1H(P)_B11
FF11MR12W2M1H(P)_B11
F4-17MR12W1M1H(P)_B11
1200 V Isolé à 2 canaux 2EDR8259H 4/8 A PG-DSO-16 EiceDRIVER™ 2EDI avec isolement renforcé
2300 V Isolé à 1 canal 1ED3122MC12H 10/9 A PG-DSO-8-66 EiceDRIVER™ X3 Compact avec blocage Miller
CC/CC (< 150 kW) 2300 V 1ED3124MC12H 13,5/14 A DSO-8 7,62 mm EiceDRIVER™ X3 Compact avec sortie séparée CoolMOS™ MOSFET
IPW60R018CFD7

CoolSIC™ MOSFET
IMZ120R030M1H
IMZ120R040M1H

Diode Schottky CoolSIC™
IDW40G120C5B
IDWD40G120C5

Module CoolSIC™
FF4MR12W2M1H(P)-B11
F4-11MR12W2M1H(P)_B11
FF4MR12W2M1HB70BPSA1
F411MR12W2M1HB70BPSA1
1ED3321MC12N 6/8,5 A DSO-16 EiceDRIVER™ Enhanced 1ED-f3 avec DESAT, arrêt progressif et blocage Miller
1ED3890MC12M 7,5/11 A DSO-16 à pas fin EiceDRIVER™ Enhanced X3 Digital avec configurabilité I2C, DESAT, arrêt progressif et blocage Miller
PFC élévateur asymétrique 25 V Non isolé à 1 canal 1ED4417N01B 2,6/2,6 A SOT23-5 Activation, verrouillage en cas de sous-tension (UVLO) avec temps d'effacement des défauts programmable CoolMOS™ MOSFET P7
IPW60R037P7
IPW60R024P7

TRENCHSTOP™ 5 H5IGBT 650 V
IKW50N65EH5

TRENCHSTOP™5 WR6 650 V
IKWH40N65WR6
IKWH50N65WR6

MOSFET CoolSIC™ 1200 V
IMW120R030M1H
IMW120R040M1H

TRENCHSTOP™ 7 H7 1200 V
IKW50N120CH7

Diode CoolSiC™
IDWD30G120C5
IDWD40G120C5
1ED44175N01B 2,6/2,6 A SOT23-6 Protection contre les surintensités (OCP) rapide et précise (±5 %), signalement des défauts, activation, détection de courant négatif
1ED44176N01F 0,8/1,75 A DSO-8 Protection contre les surintensités (OCP) rapide et précise (±5 %), signalement des défauts, activation, détection de courant positif, VSS/COM séparés
IES44273L 1,5/1,5 A SOT23-5 Broche OUT supplémentaire
200 V 1EDN8550B 4/8 A SOT23-6 Véritables entrées différentielles avec robustesse de décalage de masse statique ±80 V
PFC élévateur entrelacé 22 V Non isolé à 2 canaux 2EDN8534F 5/5 A DSO-8 Adaptation de retard de 2 ns, temps de propagation de 19 ns
25 V IRS4427S 2,3/2,3 A DSO-8 Temps de propagation adapté
PFC totem-pôle 650 V Haut potentiel et bas potentiel 2ED2181S06F 2,5/2,5 A DSO-8 Silicium sur isolant (SOI) d'Infineon, diode auto-élévatrice intégrée (BSD), HIN, LIN MOSFET CoolMOS™ MOS CFD 7 600 V
IPP60R070CFD7
IPP60R280CFD7
IPT60R035CFD7

CoolSIC™ hybride discret 650 V
IKW40N65RH5
IKW50N65RH5
IKW75N65RH5
IKW50N65SS5
IKW75N65SS5

Module IGBT EasyPACK™
FS100R12W2T7
1200 V Isolé à 2 canaux 2EDB8259F 4/8 A DSO-16 EiceDRIVER™ 2EDI avec isolement de base (3 kV selon UL 1577)
2EDB8259Y 5/9 A DSO-14 EiceDRIVER™ 2EDI avec isolement de base (3 kV selon UL 1577)
Redresseur de Vienne et NPC2 22 V Non isolé à 2 canaux 2EDN7534F 5/5 A DSO-8 Adaptation de retard de 2 ns, temps de propagation de 19 ns MOSFET CoolMOS™ C7 650 V
IPP65R045C7
IPW65R019C7
IPL65R070C7

MOSFET CoolMOS™ P7 600 V
IPP60R060P7
IPW60R024P7

TRENCHSTOP™5 H5 650 V
IKW75N65EH5

Diode Schottky CoolSIC™ 1200 V
IDW40G120C5B

Modules CoolSIC™
F3L11MR12W2M1H_B19
F3L11MR12W2M1HP_B19
F3L8MR12W2M1H_B11
F3L8MR12W2M1HP_B11
1200 V Isolé à 1 canal 1EDB6275F 5/9 A DSO-8 EiceDRIVER™ 1EDB avec isolement de base (3 kV selon UL 1577)
2300 V 1ED3142MU12F 6/6,5 A DSO-8 EiceDRIVER™ X3 Compact avec sortie séparée
Pont complet triphasé 2300 V Isolé à 1 canal 1ED3461MC12N 7,5/5 A DSO-16 EiceDRIVER™ Enhanced X3 analogique avec DESAT réglable, arrêt progressif et blocage Miller Module CoolSiC™
FS13MR12W2M1HPB11
1ED3321MC12N 6/8,5 A DSO-16 EiceDRIVER™ Enhanced 1ED-F3 avec DESAT réglable, arrêt progressif et blocage Miller

Des millions de foyers utilisent des outils électriques pour leurs tâches quotidiennes. Les consommateurs recherchent des outils portables robustes, fiables, à bas prix et avec une longue durée de vie de la batterie. Le portefeuille innovant d'Infineon offre des fonctionnalités de sécurité et répond aux besoins des consommateurs pour toutes les applications d'outils électriques, tout en réduisant les coûts.

Circuits d'attaque de grille recommandés pour les applications à faible commande en tension et alimentées par batterie

Applications Classe de tension du circuit d'attaque de grille (V) Configuration Produit Courant source/récepteur typ. Boîtiers Description Commutateurs et modules de puissance appropriés
Onduleurs de moteurs/moteurs CC sans balais (BLDC) 60 V Triphasé 6EDL7141 1,5/1,5 AV VQFN-48 7 mm x 7 mm Alimentations et amplificateurs de détection de courant intégrés et entièrement programmables MOSFET StrongIRFET™
IRF7480M
IRF6726M

MOSFET StrongIRFET™ 2
IPP016N08NF2S
IPP026N10NF2S

OptiMOS™ 5 MOSFET 30 V
BSZ0500NSI
BSC009NE2LS5

OptiMOS™ 5 MOSFET40 V
BSC019N04LS
BSZ028N04LS

OptiMOS™ 5 MOSFET 60 V
BSC012N06NS
IPT007N06N

OptiMOS™ 5 MOSFET 80 V BSC021N08NS5
IPT010N08NM5

OptiMOS™ 5 MOSFET 100 V
BSC027N10NS5
IPT015N10N5

OptiMOS™ 5 MOSFET 150 V
BSC074N15NS5
160 V Haut potentiel et bas potentiel 2ED2732S01G 1/2 A DFN10 3 mm x3 mm Silicium sur isolant (SOI) d'Infineon, diode auto-élévatrice intégrée (BSD), VSS/COM séparés, pastille thermique
160 V Triphasé 6ED2742S01Q 1/2 A QFN32 5 mm x 5 mm Silicium sur isolant (SOI) d'Infineon, diode auto-élévatrice intégrée (BSD), unité de gestion de l'alimentation (PMU), pompes à charge lente, protection contre les surintensités (OCP) programmable et amplificateur de détection de courant, RFE
160 V Demi-pont 2ED2748S01G 4/8 A DFN10 3 mm x3 mm Silicium sur isolant (SOI) d'Infineon, diode auto-élévatrice intégrée (BSD), VSS/COM séparés, pastille thermique
200 V Non isolé à 1 canal 1EDN7550B 4/8 A SOT23-6 Véritables entrées différentielles avec robustesse de décalage de masse statique ±80 V
200 V Triphasé 6ED003L02-F2 0,165/0,375 A TSSOP-28 Silicium sur isolant (SOI) d'Infineon, protection contre les surintensités (OCP), activation, signalement des défauts
200 V 6EDL04N02PR 0,165/0,375 A Silicium sur isolant (SOI) d'Infineon, diode auto-élévatrice intégrée (BSD), protection contre les surintensités (OCP), activation, signalement des défauts
200 V Haut potentiel et bas potentiel IRS2005S 0,29/0,6 A A DSO-8 Verrouillage en cas de sous-tension (UVLO) VCC & VBS, temps de propagation adapté
200 V Demi-pont IRS2007S 0,29/0,6 A A Verrouillage en cas de sous-tension (UVLO) VCC & VBS, temps de propagation adapté
200 V Haut potentiel et bas potentiel IRS2011S 1/1 A Temps de propagation de 60 ns, verrouillage en cas de sous-tension (UVLO) VCC & VBS
600 V Demi-pont 2EDL05N06PF 0,36/0,7 AD Silicium sur isolant (SOI) d'Infineon, diode auto-élévatrice intégrée (BSD)
600 V 2EDL23N06PJ 2,3/2,8 UN DSO-14 Silicium sur isolant (SOI) d'Infineon, diode auto-élévatrice intégrée (BSD), protection contre les surintensités (OCP), activation, signalement des défauts
600 V Triphasé 6EDL04N06PT 0,165/0,375 A DSO-28 7,62 mm Silicium sur isolant (SOI) d'Infineon, diode auto-élévatrice intégrée (BSD), protection contre les surintensités (OCP), activation, signalement des défauts
600 V Haut potentiel et bas potentiel IRS21867S 4/4 A DSO-8 Fort courant pour une puissance élevée et une fréquence de commutation rapide avec un faible verrouillage en cas de sous-tension (UVLO) (6 V/5,5 V)
Chargeur de batterie 22 V Non isolé à 1 canal 1EDN8511B 4/8 A SOT23-6 Sortie séparée, temps de propagation de 19 ns MOSFET CoolMOS™
IPW60R070CFD7
IPAN60R125PFD7S

MOSFET CoolMOS™ P7
IPA80R900P7
IPA60R180P7S

MOSFET CoolSiC™ 650 V
IMW65R048M1H
IMZA65R072M1H

Diode CoolSiC™
IDH10G65C6
IDW20G65C5B

OptiMOS™ 5
IPA083N10N5
IPA029N06N
22 V Non isolé à 2 canaux 2EDN8534F 5/5 A DSO-8 Adaptation de retard de 2 ns, temps de propagation de 19 ns
25 V Non isolé à 1 canal 1ED44171N01B 2,6/2,6 A SOT23-5 Activation, temps d'effacement des défauts programmable, verrouillage en cas de sous-tension (UVLO)
25 V 1ED44175N01B 2,6/2,6 A SOT23-6 Protection contre les surintensités (OCP) rapide et précise (±5 %), signalement des défauts, activation, détection de courant négatif
25 V IRS44273L 1,5/1,5 A SOT23-5 Broche OUT supplémentaire
600 V Haut potentiel et bas potentiel IRS2186S 4/4 A DSO-8 Fort courant pour une puissance élevée et une fréquence de commutation rapide
650 V 2ED2106S06F 0,29/0,7 A Silicium sur isolant (SOI) d'Infineon, diode auto-élévatrice intégrée (BSD), HIN, LIN
650 V 2ED2110S06M 2,5/2,5 A DSO-16 7,62 mm Silicium sur isolant (SOI) d'Infineon, diode auto-élévatrice intégrée (BSD), changement de niveau rapide, arrêt, VSS/COM séparés
650 V 2ED2181S06F 2,5/2,5 A DSO-8 Silicium sur isolant (SOI) d'Infineon, diode auto-élévatrice intégrée (BSD), HIN, LIN

Circuits d'attaque de grille recommandés pour les véhicules électriques légers (LEV)

Applications Classe de tension du circuit d'attaque de grille (V) Configuration Produit Courant source/récepteur typ. Boîtiers Description Commutateurs et modules de puissance appropriés
Onduleur de moteur < 3 kW (batterie < 48 V) 60 V Triphasé 6EDL7141 1,5/1,5 A VQFN-48 7 mm x 7 mm Alimentations et amplificateurs de détection de courant entièrement programmables et intégrés, contrôle de la vitesse de balayage, fonctionnalités de protection StrongIRET™ 60 V
IRFS753060
IRF60SC241

OptoMOS™ 5 MOSFET 60 V
IPTG007N06NM5
IPB01N06N
IST011N06NM5
BSC012N06NS

STRongIRFET™ 75 V
IRFB7730
BSC036NE7NS3G
160 V Haut potentiel et bas potentiel 2ED2732S01G 1/2 A DFN10 3 mm x 3 mm Silicium sur isolant (SOI), BSD intégré, verrouillage en cas de sous-tension (UVLO), VSS/COM séparés, pastille thermique
160 V Triphasé 6ED2742S01Q 1/2 A QFN32, 5 mm x 5 mm Silicium sur isolant (SOI), BSD intégré, unité de gestion de l'alimentation (PMU), 100 % CC avec pompe à charge lente, protection contre les surintensités (OCP) programmable avec sélection du gain, amplificateur de détection de courant, RFE
200 V Triphasé 6EDL04N02PR 0,165/0,375 A TSSOP-28 Silicium sur isolant (SOI) d'Infineon, BSB intégré, protection contre les surintensités (OCP), activation, signalement des défauts
200 V Haut potentiel et bas potentiel IRS2005 0,29/0,6 A DSO-8 Verrouillage en cas de sous-tension (UVLO), MTON/OFF, 50 ns max., entrée 3,3 V-15 V
200 V Haut potentiel et bas potentiel IRS2011S 1/1 A DSO-8 Verrouillage en cas de sous-tension (UVLO), MTON/OFF, 20 ns max., entrée 3,3 V-15 V
600 V Haut potentiel et bas potentiel 2EDL05N06PF 0,36/0,7 A DSO-8 Silicium sur isolant (SOI), verrouillage en cas de sous-tension (UVLO), MTON/OFF. 60 ns max., entrée 3,3-15 V, BSD
600 V Triphasé 6EDL04N06PF 0,165/0,375 A DSO-28 7,62 mm Silicium sur isolant (SOI) d'Infineon, diode auto-élévatrice intégrée (BSD), protection contre les surintensités (OCP), activation, signalement des défauts
600 V Haut potentiel simple IRS21271S 0,2/0,42 A DSO-8 Verrouillage en cas de sous-tension (UVLO), protection contre les surintensités (OCP). Entrée 3-15 V, signalement des défauts
Onduleur de moteur 3-10 kW (batterie de 48-96 V) 160 V Haut potentiel et bas potentiel 2ED2738S01G 4,8 A DFN10 3 mm x 3 mm Silicium sur isolant (SOI), diode auto-élévatrice intégrée (BSD), verrouillage en cas de sous-tension (UVLO), VSS/COM séparés, pastille thermique MOSFET OptiMOS™5 80 V
IPT010N08NM5
IPTG011N08NM5
IPB015N08N5
BSC019N08NS5
IST019N08NM5

MOSFET™ IR 100 V
IRLS4030
IRF100B201

StrongIRFET™2 100 V
IPP026N10NF2S
IPA030N10NF2S

OptiMOS™5 MOSFET 100 V
IPTG014N10NM5
IPTG018N10NM5
IPTC015N10NM5
IPB017N10N5
IST026N10NM5
BCS027N10NS5

OptiMOS™6 MOSFET 100 V
ISC022N10NM6
200 V Non isolé à 10 canaux 1EDN8550B 4/8 A SOT23-6 Véritables entrées différentielles, avec robustesse de décalage de masse statique de ±80 V et dynamique de ±150 V, broches de sortie SRC/SNK séparées.
500 V Haut potentiel et bas potentiel IRS2110S 2/2 A DSO-16W MTON/OFF, 10 NS max., alimentation et masse logique séparées, broche SD, entrée 3-20 V
600 V Haut potentiel et bas potentiel 2EDL23N06PJ 2,3/2,8 UN DSO-14 Entrée 3,3 V-15 V, transitoires -100 V, PGND, BSD intégré, silicium sur isolant (SOI), protection contre les surintensités (OCP), verrouillage en cas de sous-tension (UVLO), activation, signalement des défauts
600 V Haut potentiel et bas potentiel IRS21867S 4/4 A DSO-8 Entrée 3-5 V, MTON/OFF, max=35 ns, verrouillage en cas de sous-tension (UVLO), transitoires robustes nég.
650 V Haut potentiel et bas potentiel 2ED2181S06F 2,5/2,5 A DSO-8 Silicium sur isolant (SOI), diode auto-élévatrice intégrée (BSD), entrée 3,3-15 V, MTON/OFF, max=35 ns, transitoires -100 V
650 V Haut potentiel et bas potentiel 2ED21814S06J 2,5/2,5 A DSO-14 Silicium sur isolant (SOI), diode auto-élévatrice intégrée (BSD) ; entrée 3,3-15 V, MTON/OFF, 35 ns max., transitoires -100, logique séparée
Onduleur de moteur > 10 kW (batterie > 96 V) 1200 V Isolé à 1 canal 1EDB8275F 5/9 A DSO-8 Isolement de base de 3 kV avec technologie CT. (UL 1577), sortie SRC/SNK séparée, verrouillage en cas de sous-tension (UVLO) (4 types), CMTI > 300 V/ns MOSFET™ IR 150 V
IRFB4115

OptiMOS™ 5 MOSFET 150 V
IPB044N15N5
IPT039N15N5

StrongIRFET™ 200 V
IRF200S234

OptiMOS™ 3 MOSFET 200 V
IPB107N20N3G
IPTG111N20NM3FD
2300 V 1ED3142MU12F 6/6,5 A EiceDRIVER™ X3 Compact avec sortie séparée
1200 V Isolé à 2 canaux 2EDB8259F 5/9 A DSO-16 Isolement de base de 3 kV avec technologie CT (UL1577). Contrôle de temps de récupération (DTC) et STP, verrouillage en cas de sous-tension (UVLO) (4 types), CMTI >150 V/ns
1200 V Isolé à 2 canaux 2EDB8259Y 5/9 A DSO-14 Isolement de base de 3 kV avec technologie CT (UL1577). Contrôle de temps de récupération (DTC) et STP, verrouillage en cas de sous-tension (UVLO) (4 types), CMTI >150 V/ns
2300 V Isolé à 1 canal 1ED3121MC12H 5,5/5,5 A DSO-8 7,62 mm EiceDRIVER™ X3 Compact avec sortie séparée

Les gammes de circuits d'attaque de grille EiceDRIVER™ d'Infineon offrent un rendement énergétique élevé qui contribue à réduire le réchauffement climatique causé par les émissions de dioxyde de carbone. Outre leur immunité au bruit élevée et leur grande robustesse, ces dispositifs sont faciles à utiliser ; grâce à des fonctionnalités telles que la protection DESAT, le blocage Miller actif, le contrôle de la vitesse de balayage et la configurabilité numérique I2C, le circuit d'attaque de grille EiceDRIVER™ est largement utilisé dans les onduleurs et la correction du facteur de puissance (PFC) pour les pompes à chaleur à différents niveaux de puissance.

Catégories de pompes à chaleur par méthode – 3 systèmes principaux

Schéma fonctionnel type d'un système de pompe à chaleur

Circuit d'attaque de grille pour application d'entraînement de moteur

Circuits d'attaque de grille recommandés (pompe à chaleur - onduleur)

Classe de tension du circuit d'attaque de grille (V) Produit Technologie Nombre de canaux Verrouillage en cas de sous-tension (UVLO) ON/OFF typ. [V] Courant d'attaque Io+/lo- typ. [UN] Temps de propagation désactivé/activé typ. [ns] Fonctionnalités Boîtier Commutateurs et modules de puissance appropriés
600 V 6EDL04I06PT Silicium sur isolant (SOI) 6 11,7/9,8 0,165/0,375 490/530 Diode auto-élévatrice intégrée ; protection contre les surintensités ; activation ; signalement des défauts ; broche séparée pour la masse logique DSO-28WB RC-D2 600 V
IKD10N60RC2
IKD15N60RC2


TRENCHSTOP™ IGBT6 650 V
IKA10N65ET6
IKA15N65ET6

TRENCHSTOP™ 600 V
IKA10N60T
IKA15N60T

TRENCHSTOP™ IGBT7 T7 650 V
IKW20N65ET7
IKW30N65ET7
IKW40N65ET7
600 V 6EDL04N06P 9,0/8,1 0,165/0,375 530/530
1200 V 6ED2230S12T 11,4/10,4 0,35/0,65 600/600 Diode auto-élévatrice intégrée ; protection contre les surintensités ; protection contre le courant « shoot-through » ; activation ; signalement des défauts ; temps d'effacement des défauts programmable ; broche séparée pour la masse logique DSO-24 IGBT7 S7 TRENCHSTOP™ 1200 V
IKW40N120CS7
IKW25N120CS7

MOSFET CoolSiC™ 1200 V
IMW120R030M1H
IMW120R040M1H
1200 V 6ED2231S12T 12,2/11,3 0,35/0,65 600/600
650 V 2ED2304S06F Silicium sur isolant (SOI) 2 9,1/8,3 0,36/0,7 300/310 Diode auto-élévatrice intégrée ; protection contre le courant « shoot-through » DSO-8 RC-D2 600 V
IKD10N60RC2
IKD15N60RC2


TRENCHSTOP™ IGBT6 650 V
IKA10N65ET6
IKA05N65ET6

TRENCHSTOP™ 600 V
IKA10N60T
IKA15N60T

TRENCHSTOP™ IGBT T7 650 V
IKW20N65ET7
IKW30N65ET7
IKW40N65ET7
2ED2104S06F 8,9/8,0 0,29/0,70 90/90 Diode auto-élévatrice intégrée ; protection contre le courant « shoot-through » ; entrée d'arrêt
2ED2184S06F 9,1/8,2 2,5/2,5 200/200
600 V 2EDL23N06PJ 9,1/8,3 2,3/2,8 300/310 Diode auto-élévatrice intégrée ; protection contre les surintensités ; protection contre le courant « shoot-through » ; activation ; signalement des défauts ; broche séparée pour la masse logique DSO-14
2EDL23I06PJ 12,5/11,6 2,3/2,8 400/420
1200 V 2ED1324S12P 12,2/11,3 2,3/2,3 500/500 Diode auto-élévatrice intégrée ; blocage Miller actif ; blocage de court-circuit ; protection contre les surintensités ; protection contre le courant « shoot-through » ; activation ; temps d'effacement des défauts programmable ; broche séparée pour la masse logique DSO-20DW IGBT S7 TRENCHSTOP™ 1200 V
IKW40N120CS7
IKW25N120CS7

MOSFET CoolSiC™ 1200 V
IMW120R030M1H
IMW120R040M1H
2ED1322S12M 12,2/11,3 2,3/4,6 350/350 Diode auto-élévatrice intégrée ; protection contre les surintensités ; protection contre le courant « shoot-through » ; activation ; signalement des défauts ; temps d'effacement des défauts programmable ; broche séparée pour la masse logique DSO-16
1200 V 1EDI20N12AF Transformateur sans noyau 1 9,1/8,5 4,0/3,5 120/115 Sortie récepteur/source séparée ; broche séparée pour la masse logique DSO-8 3,81 mm IGBT7 H7 TRENCHSTOP™ 1200 V
IKW40N120CH7
1EDI60I12AF 12,0/11,1 10,0/9,4 300/300
1EDI20I12MF 12.011,1 4,4/4,1 300/300 Blocage Miller actif ; sortie récepteur/source séparée ; broche séparée pour la masse logique
2EDO2OI12-FI 2 12,0/11,0 1,5/2,5 85/85 Amplificateur opérationnel et comparateur pour la protection contre les surintensités (OCP) DSO-18
2300 V 1ED312OMU12H 1 10,0/8,0 5,5/5,5 90/90 Certification UL 1577 ; sortie récepteur/source séparée ; broche séparée pour la masse logique DSO-8 7,62 mm
1ED3240MC12H 11,8/10,8 10,0/10,0 110/110 Contrôle de la vitesse de balayage à deux niveaux ; VDE0844-11 (renforcé) ; certification UL 1577 ; sortie récepteur/source séparée ; broche séparée pour la masse logique
1ED3122MC12H 10,0/8,0 10,0/9,0 90/90 Certification UL 1577 ; blocage Miller actif ; broche séparée pour la masse logique
1ED3140MU12F 9,3/8,55 6,5/5,5 45/45 Certification UL 1577 ; sortie récepteur/source séparée ; broche séparée pour la masse logique DSO-8 3,81 mm
1ED3142MU12F 13,6/12,55 6,5/5,5 45/45 Certification UL 1577 ; sortie récepteur/source séparée ; broche séparée pour la masse logique
1ED3321MC12N 13,6/12,55 6/8,5 85/85 Certification UL 1577 et VDE-11 ; blocage Miller actif ; DESAT et arrêt progressif DSO-16 7,62 mm

Circuits d'attaque de grille recommandés (pompe à chaleur - PFC)

Classe de tension du circuit d'attaque de grille (V) Produit Type de PFC Technologie Nombre de canaux Verrouillage en cas de sous-tension (UVLO) ON/OFF typ. [V] Courant d'attaque Io+/lo- typ. [UN] Temps de propagation désactivé/activé typ. [ns] Fonctionnalités Boîtier Commutateurs et modules de puissance appropriés
25 V IRS4427S PFC élévateur Bas potentiel double 2 - 2,3/3,3 65/85   DSO-8 TRENCHSTOP™ 5 WR6 650 V
IKWH30N65WR6
IKW40N65WR6

TRENCHSTOP™ 5 H5 650 V
IKW40N65RH5
IKWH40N65WR6XKSA1

Diode RAPIDE 1
IDW30C65D1

TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 1200 V
IKW40N120CH7
IKW40N120CH7XKSA1

Module EasyPIM™ (IGBT)
FB50R07W2E3_B23
FB50R07W2E3_C36
24 V 2ED24427N01F 11,5/10,0 10,0/10,0 40/55   DSO-8 avec bloc d'alimentation
25 V 1ED44171N01B Bas potentiel simple 1 11,9/11,4 2,6/2,6 50/50   SOT-23-5
1ED44176N01F 11,9/11,4 0,8/1,75 50/50   DSO-8
1ED44173N01B 8,0/7,3 2,6/2,6 34/34   SOT-23-6
1ED44175N01B 11,9/11,0 2,6/2,6 50/50  
650 V 2ED2304S06F PFC totem-pôle Silicium sur isolant (SOI) 2 9,1/8,3 0,36/0,7 300/310 Diode auto-élévatrice intégrée ; protection contre le courant « shoot-through » DSO-8 TRENCHSTOP™ 5 650 V
IKWH30N65WR6
IKW40N65WR6

TRENCHSTOP™ 5 H5 650 V
IKW40N65RH5
2ED2104S06F 8,9/8,0 0,29/0,7 90/90 Diode auto-élévatrice intégrée ; protection contre le courant « shoot-through » ; entrée d'arrêt
2ED2184S06F 9,1/8,2 2,5/2,5 200/200 Diode auto-élévatrice intégrée ; protection contre le courant « shoot-through » ; entrée d'arrêt
600 V 2EDL23N06PJ 9,1/8,3 2,3/2,8 300/310 Diode auto-élévatrice intégrée ; protection contre les surintensités ; protection contre le courant « shoot-through » ; activation ; signalement des défauts ; broche séparée pour la masse logique DSO-14
2EDL23I06PJ 12,2/11,3 2,3/2,3 400/420
1200 V 2ED1324S12P 12,2/11,3 2,3/2,3 500/500 Diode auto-élévatrice intégrée ; blocage Miller actif ; protection contre les surintensités ; protection contre le courant « shoot-through » ; activation ; signalement des défauts ; temps d'effacement des défauts programmable ; broche séparée pour la masse logique DSO-20DW IGBT H7 TRENCHSTOP™ 1200 V
IKW40N120CH7XKSA1
2ED1322S12M 12,2/11,3 2,3/4,6 350/350 Diode auto-élévatrice intégrée ; protection contre les surintensités ; protection contre le courant « shoot-through » ; activation ; temps d'effacement des défauts programmable ; broche séparée pour la masse logique DSO-16
1200 V 1EDI20N12AF Transformateur sans noyau 1 9,1/8,5 4,0/3,5 12/115 Sortie récepteur/source séparée ; broche séparée pour la masse logique DSO-8 3,81 mm TRENCHSTOP™ IGBT H7 1200 V
IKW40N120CH7XKSA1

Module EasyPIM™ (IGBT)
FP25R12W1T7_B11
FP35R12W2T7_B11
FP50R12W2T7_B11
FP35R12N2T7_B11
FP50R12N2T7_B11
FS55MR12W1M1HB11NPSA1
FS33MR12W1M1HPB11BPSA1
FS33MR12W1M1HPB11BPSA1
1EDI60I12AF 12,0/11,1 1,0/9,4 300/300
1EDI20I12MF 12,0/11,1 4,4/4,1 Blocage Miller actif ; sortie récepteur/source séparée ; broche séparée pour la masse logique
2ED020I12-FI 2 12,0/11,0 1,5/2,5 85/85 Amplificateur opérationnel et comparateur pour protection contre les surintensités (OCP) DSO-8 3,81 mm
2300 V 1ED3120MU12H 1 10,0/8,0 5,5/5,5 90/90 Certification UL 1577 ; sortie récepteur/source séparée ; broche séparée pour la masse logique DSO-18
1ED3122MU12H 10,0/8,0 10,0/9,0 Certification UL 1577 ; blocage Miller actif ; broche séparée pour la masse logique DSO-8 7,62 mm
1ED3140MU12F 9,3/8,55 6,5/5,5 45/45 Certification UL 1577 ; sortie récepteur/source séparée ; broche séparée pour la masse logique
1ED3142MU12F 13,6/12,55 Certification UL 1577 ; sortie récepteur/source séparée ; broche séparée pour la masse logique DSO-8 3,81 mm
1ED3321MC12N 13,6/12,55 6/8,5 85/85 Certification UL 1577 et VDE-11 ; blocage Miller actif ; DESAT et arrêt progressif DSO-16 7,62 mm

Ressources

Guide de sélection

Circuits d'attaque de grille EiceDRIVER d'Infineon

Vidéos

EiceDRIVER 1ED38x0Mc12M (X3 numérique) : introduction au circuit d'attaque de grille amélioré le plus flexible

Vidéos

Nouveau circuit d'attaque de grille triphasé IPC MOTIX de 160 V

Vidéos

MOSFET CoolSiC™ dans une application de charge de véhicules électriques

Guide de sélection

Solutions avancées à semi-conducteurs pour un avenir prometteur dans les pompes à chaleur

Circuit d'attaque de grille SOI de 160 V

Pour les applications alimentées par batterie
Deutsch  |  Français  |  Italiano  |  English