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Guidare il futuro ad ogni passo
L'abbinamento perfetto tra i gate driver in CI e gli interruttori di alimentazione di Infineon.
Infineon offre un portafoglio completo di gate driver in CI EiceDRIVER™ con una varietà di configurazioni, classi di tensione, livelli di isolamento, caratteristiche di protezione e opzioni di confezionamento. I gate driver in CI EiceDRIVER™ sono complementari ai moduli e ai componenti discreti IGBT, ai MOSFET al silicio (CoolMOS™, OptiMOS™ e StrongIRFET™) e al carburo di silicio (CoolSiC™), agli HEMT al nitruro di gallio (CoolGaN™) o come parte di moduli di alimentazione integrati (IPM CIPOS™ e IPM intelligente iMOTION™) di Infineon.
- Ricarica EV
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Con la crescita dell'e-mobility, sono necessari caricabatterie EV c.c. veloci per una ricarica efficiente. I caricabatterie c.c. offrono una ricarica più rapida rispetto ai caricabatterie c.a. standard. Un caricatore c.c. da 150 kW può caricare un veicolo elettrico per 200 km in 15 minuti. Infineon, con la sua esperienza nell'e-mobility e nell'alimentazione, è un partner naturale per il progresso della tecnologia EV c.c..
Gate driver consigliati
| Applicazione | Classe di tensione (V) | Configurazione | Prodotto | Corrente source/drain tip. | Contenitori | Descrizione | Interruttori e moduli di alimentazione adatti |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| C.c./c.c. (<22 kW) |
600 V | High-side e low-side | IRS2186S | 4/4 A | DSO-8 | Alta corrente per alta potenza e frequenza di commutazione veloce | MOSFET CoolMOS™ IPW60R018CFD7 IPW60R037CSFD MOSFET CoolSIC™ IMZ120R030M1H IMZA120R040M1H Diodo Schottky CoolSIC™ IDW40G120C5B IDWD40G120C5 Modulo CoolSIC™ FF33MR12W1M1H (P)_B11 F4-33MR12W1M1H(P)_B11 FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 |
| 650 V | 2ED2110S06M | 2,5/2,5 A | DSO-16 7,62 mm | Infineon SOI, BSD integrato, traslazione di livello rapida, spegnimento, VSS/COM separati | |||
| 650 V | 22ED2181S06F | 2,5/2,5 A | DSO-8 | Infineon SOI, BSD integrato, HIN, LIN | |||
| 2300 V | 1 canale isolato | 1ED3125MU12F | 10/9 A | DSO-8 | EiceDRIVER™ X3 Compact con Miller Clamp | ||
| 1200 V | High-side e low-side | IR2213S | 2/2,5 A | DSO-16 7,62 mm | Spegnimento e alimentazione separata | ||
| 1200 V | Semiponte | IR2214SS | 2/3 A | SSOP-24 | DESAT, spegnimento graduale, accensione a due stadi, segnalazione guasti, sincronizzazione | ||
| C.c./c.c. (<50 kW) |
2300 V | 1 canale isolato | IED3124MU12F | 13,5/14 A | DSO-8 | EiceDRIVER™ X3 Compact con uscita separata | MOSFET CoolMOS™ IPW60R018CFD7 IPW60R037CSFD MOSFET CoolSIC™ IMZ120R030M1H IMZ120R040M1H Diodo Schottky CoolSIC™ IDW40G120C5B IDWD40G120C5 Modulo CoolSIC™ FF8MR12W1M1H(P)_B11 FF17MR12W1M1H(P)_B11 FF11MR12W2M1H(P)_B11 F4-17MR12W1M1H(P)_B11 |
| 1200 V | 2 canali isolato | 2EDR8259H | 4/8 A | PG-DSO-16 | EiceDRIVER™ 2EDi con isolamento rinforzato | ||
| 2300 V | 1 canale isolato | 1ED3122MC12H | 10/9 A | PG-DSO-8-66 | EiceDRIVER™ X3 Compact con Miller Clamp | ||
| C.c./c.c. (<150 kW) | 2300 V | 1ED3124MC12H | 13,5/14 A | DSO-8 7,62 mm | EiceDRIVER™ X3 Compact con uscita separata | MOSFET CoolMOS™ IPW60R018CFD7 MOSFET CoolSIC™ IMZ120R030M1H IMZ120R040M1H Diodo Schottky CoolSIC™ IDW40G120C5B IDWD40G120C5 Modulo CoolSIC™ FF4MR12W2M1H(P)-B11 F4-11MR12W2M1H(P)_B11 FF4MR12W2M1HB70BPSA1 F411MR12W2M1HB70BPSA1 |
|
| 1ED3321MC12N | 6/8,5 A | DSO-16 | EiceDRIVER™ Enhanced 1ED-f3 con DESAT, spegnimento graduale e Miller Clamp | ||||
| 1ED3890MC12M | 7,5/11 A | DSO-16 passo fine | EiceDRIVER™ X3 Enhanced Digital con configurabilità I2C, DESAT, spegnimento graduale e Miller Clamp | ||||
| PFC boost a terminazione singola | 25 V | 1 canale non isolato | 1ED4417N01B | 2,6/2,6 A | SOT23-5 | Abilitazione, tempo di eliminazione guasti programmabile, UVLO | MOSFET P7 CoolMOS™ IPW60R037P7 IPW60R024P7 TRENCHSTOP™5 H5IGBT 650 V IKW50N65EH5 TRENCHSTOP™5 WR6 650 V IKWH40N65WR6 IKWH50N65WR6 MOSFET CoolSIC™ 1200 V IMW120R030M1H IMW120R040M1H TRENCHSTOP™ 7 H7 1200 V IKW50N120CH7 Diodo CoolSiC™ IDWD30G120C5 IDWD40G120C5 |
| 1ED44175N01B | 2,6/2,6 A | SOT23-6 | OCP veloce e preciso (±5%), segnalazione di guasti, abilitazione, rilevamento della corrente negativa | ||||
| 1ED44176N01F | 0,8/1,75 A | DSO-8 | OCP veloce e preciso (±5%), segnalazione di guasti, abilitazione, rilevamento della corrente positiva, VSS/COM separati | ||||
| IES44273L | 1,5/1,5 A | SOT23-5 | Pin OUT aggiuntivo | ||||
| 200 V | 1EDN8550B | 4/8 A | SOT23-6 | Ingressi differenziali puri con robustezza di variazione di massa statica ±80 V | |||
| PFC boost interleaved | 22 V | 2 canali non isolato | 2EDN8534F | 5/5 A | DSO-8 | Corrispondenza del ritardo 2 ns, ritardo di propagazione 19 ns | |
| 25 V | IRS4427S | 2,3/2,3 A | DSO-8 | Ritardo di propagazione abbinato | |||
| PFC totem pole | 650 V | High-side e low-side | 2ED2181S06F | 2,5/2,5 A | DSO-8 | Infineon SOI, BSD integrato, HIN, LIN | MOSFET CoolMOS™ MOS CFD 7 600 V IPP60R070CFD7 IPP60R280CFD7 IPT60R035CFD7 Discreto ibrido CoolSIC™ 650 V IKW40N65RH5 IKW50N65RH5 IKW75N65RH5 IKW50N65SS5 IKW75N65SS5 Modulo IGBT EasyPACK™ FS100R12W2T7 |
| 1200 V | 2 canali isolato | 2EDB8259F | 4/8 A | DSO-16 | EiceDRIVER™ 2EDI con isolamento base (3 kV UL1577) | ||
| 2EDB8259Y | 5/9 A | DSO-14 | EiceDRIVER™ 2EDI con isolamento base (3 kV UL1577) | ||||
| Raddrizzatore Vienna e NPC2 | 22 V | 2 canali non isolato | 2EDN7534F | 5/5 A | DSO-8 | Corrispondenza del ritardo 2 ns, ritardo di propagazione 19 ns | MOSFET CoolMOS™ C7 650 V IPP65R045C7 IPW65R019C7 IPL65R070C7 MOSFET CoolMOS™ P7 600 V IPP60R060P7 IPW60R024P7 TRENCHSTOP™5 H5 650 V IKW75N65EH5 Diodo Schottky CoolSIC™ 1200 V IDW40G120C5B Moduli CoolSIC™ F3L11MR12W2M1H_B19 F3L11MR12W2M1HP_B19 F3L8MR12W2M1H_B11 F3L8MR12W2M1HP_B11 |
| 1200 V | 1 canale isolato | 1EDB6275F | 5/9 A | DSO-8 | EiceDRIVER™ 1EDB con isolamento base (3 kV UL1577) | ||
| 2300 V | 1ED3142MU12F | 6/6,5 A | DSO-8 | EiceDRIVER™ X3 Compact con uscita separata | |||
| Ponte intero trifase | 2300 V | 1 canale isolato | 1ED3461MC12N | 7,5/5 A | DSO-16 | EiceDRIVER™ X3 Enhanced Analog con DESAT regolabile, spegnimento graduale e Miller Clamp | Modulo CoolSiC™ FS13MR12W2M1HPB11 |
| 1ED3321MC12N | 6/8,5 A | DSO-16 | EiceDRIVER™ Enhanced 1ED-F3 con DESAT regolabile, spegnimento graduale e Miller Clamp |
Milioni di famiglie si affidano agli utensili elettrici per le attività quotidiane. I consumatori vogliono utensili robusti, affidabili e portatili, con un prezzo contenuto e una lunga durata della batteria. L'innovativo portafoglio di Infineon offre caratteristiche di sicurezza e soddisfa le esigenze dei consumatori per tutte le applicazioni di utensili elettrici, riducendo al contempo i costi.
Gate driver consigliati per applicazioni alimentate a batteria e con comando a bassa tensione
| Applicazioni | Classe di tensione (V) gate driver | Configurazione | Prodotto | Corrente source/drain tip. | Contenitori | Descrizione | Interruttori e moduli di alimentazione adatti |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Inverter per motori / BLDC | 60 V | Trifase | 6EDL7141 | 1,5/1,5 AV | VQFN-48 7x7 mm | Alimentatori e amplificatori di rilevamento della corrente integrati e completamente programmabili | MOSFET StrongIRFET™ IRF7480M IRF6726M MOSFET StrongIRFET™ 2 IPP016N08NF2S IPP026N10NF2S MOSFET OptiMOS™ 5 30 V BSZ0500NSI BSC009NE2LS5 MOSFET OptiMOS™ 5 40 V BSC019N04LS BSZ028N04LS MOSFET OptiMOS™ 5 60 V BSC012N06NS IPT007N06N MOSFET OptiMOS™ 5 80 V BSC021N08NS5 IPT010N08NM5 MOSFET OptiMOS™ 5 100 V BSC027N10NS5 IPT015N10N5 MOSFET OptiMOS™ 5 150 V BSC074N15NS5 |
| 160 V | High-side e low-side | 2ED2732S01G | 1/2 A | DFN10 3x3 mm | Infineon SOI, BSD integrato, VSS/COM separati, piazzola termica | ||
| 160 V | Trifase | 6ED2742S01Q | 1/2 A | QFN32 5x5 mm | Infineon SOI, BSD integrato, PMU, pompe di carica di mantenimento, OCP programmabile e amplificatore di rilevamento della corrente, RFE | ||
| 160 V | Semiponte | 2ED2748S01G | 4/8 A | DFN10 3x3 mm | Infineon SOI, BSD integrato, VSS/COM separati, piazzola termica | ||
| 200 V | 1 canale non isolato | 1EDN7550B | 4/8 A | SOT23-6 | Ingressi differenziali puri con robustezza di variazione di massa statica ± 80 V | ||
| 200 V | Trifase | 6ED003L02-F2 | 0,165/0,375 A | TSSOP-28 | Infineon SOI, OCP, abilitazione, segnalazione dei guasti | ||
| 200 V | 6EDL04N02PR | 0,165/0,375 A | Infineon SOI, BSD integrato, OCP, abilitazione, segnalazione dei guasti | ||||
| 200 V | High-side e low-side | IRS2005S | 0,29/0,6 A | DSO-8 | UVLO VCC e VBS, ritardo di propagazione abbinato | ||
| 200 V | Semiponte | IRS2007S | 0,29/0,6 A | UVLO VCC e VBS, ritardo di propagazione abbinato | |||
| 200 V | High-side e low-side | IRS2011S | 1/1 A | Ritardo di propagazione 60 ns, UVLO VCC e VBS | |||
| 600 V | Semiponte | 2EDL05N06PF | 0,36/0,7 AD | Infineon SOI, BSD integrato | |||
| 600 V | 2EDL23N06PJ | 2,3/2,8 A | DSO-14 | Infineon SOI, BSD integrato, OCP, abilitazione, segnalazione dei guasti | |||
| 600 V | Trifase | 6EDL04N06PT | 0,165/0,375 A | DSO-28 7,62 mm | Infineon SOI, BSD integrato, OCP, abilitazione, segnalazione dei guasti | ||
| 600 V | High-side e low-side | IRS21867S | 4/4 A | DSO-8 | Alta corrente per alta potenza e frequenza di commutazione veloce con basso UVLO (6 V/5,5 V) | ||
| Caricabatteria | 22 V | 1 canale non isolato | 1EDN8511B | 4/8 A | SOT23-6 | Uscita separata, ritardo di propagazione 19 ns | MOSFET CoolMOS™ IPW60R070CFD7 IPAN60R125PFD7S MOSFET P7 CoolMOS™ IPA80R900P7 IPA60R180P7S MOSFET CoolSiC™ 650 V IMW65R048M1H IMZA65R072M1H Diodo CoolSiC™ IDH10G65C6 IDW20G65C5B OptiMOS™ 5 IPA083N10N5 IPA029N06N |
| 22 V | 2 canali non isolato | 2EDN8534F | 5/5 A | DSO-8 | Corrispondenza del ritardo 2 ns, ritardo di propagazione 19 ns | ||
| 25 V | 1 canale non isolato | 1ED44171N01B | 2,6/2,6 A | SOT23-5 | Abilitazione, tempo di eliminazione guasti programmabile, UVLO | ||
| 25 V | 1ED44175N01B | 2,6/2,6 A | SOT23-6 | OCP veloce e preciso (±5%), segnalazione di guasti, abilitazione, rilevamento della corrente negativa | |||
| 25 V | IRS44273L | 1,5/1,5 A | SOT23-5 | Pin OUT aggiuntivo | |||
| 600 V | High-side e low-side | IRS2186S | 4/4 A | DSO-8 | Alta corrente per alta potenza e frequenza di commutazione veloce | ||
| 650 V | 2ED2106S06F | 0,29/0,7 A | Infineon SOI, BSD integrato, HIN, LIN | ||||
| 650 V | 2ED2110S06M | 2,5/2,5 A | DSO-16 7,62 mm | Infineon SOI, BSD integrato, traslazione di livello rapida, spegnimento, VSS/COM separati | |||
| 650 V | 2ED2181S06F | 2,5/2,5 A | DSO-8 | Infineon SOI, BSD integrato, HIN, LIN |
Gate driver consigliati per veicoli elettrici leggeri (LEV)
| Applicazioni | Classe di tensione (V) gate driver | Configurazione | Prodotto | Corrente source/drain tip. | Contenitori | Descrizione | Interruttori e moduli di alimentazione adatti |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Inverter per motori <3 kW (<48 V batteria) | 60 V | Trifase | 6EDL7141 | 1,5/1,5 A | VQFN-48 7x7 mm | Alimentatori e amplificatori di rilevamento della corrente integrati e completamente programmabili, controllo della velocità di variazione, caratteristiche di protezione | StrongIRET™ 60 V IRFS753060 IRF60SC241 MOSFET OptiMOS™ 5 60 V IPTG007N06NM5 IPB01N06N IST011N06NM5 BSC012N06NS StrongIRFET™ 75 V IRFB7730 BSC036NE7NS3G |
| 160 V | High-side e low-side | 2ED2732S01G | 1/2 A | DFN10 3x3 mm | SOI, BSD integrato, UVLO, VSS/COM separati, piazzola termica | ||
| 160 V | Trifase | 6ED2742S01Q | 1/2 A | QFN32, 5x5 mm | SOI, BSD integrato, PMU, ciclo di lavoro 100% con pompa di carica di mantenimento, OCP programmabile con selezione guadagno, amplificatore CS, RFE | ||
| 200 V | Trifase | 6EDL04N02PR | 0,165/0,375 A | TSSOP-28 | Infineon SOI, BSD integrato, OCP, abilitazione della segnalazione dei guasti | ||
| 200 V | High-side e low-side | IRS2005 | 0,29/0,6 A | DSO-8 | UVLO, MTON/OFF, max=50 ns, ingresso 3,3-15 V | ||
| 200 V | High-side e low-side | IRS2011S | 1/1 A | DSO-8 | UVLO, MTON/OFF, max=20 ns, ingresso 3,3-15 V | ||
| 600 V | High-side e low-side | 2EDL05N06PF | 0,36/0,7 A | DSO-8 | SOI, UVLO, MTON/OFF, max=60 ns, ingresso 3,3-15 V, BSD | ||
| 600 V | Trifase | 6EDL04N06PF | 0,165/0,375 A | DSO-28 7,62 mm | Infineon SOI, BSD integrato, OCP, abilitazione, segnalazione dei guasti | ||
| 600 V | High-side singolo | IRS21271S | 0,2/0,42 A | DSO-8 | UVLO, OCP, ingresso 3-15 V, segnalazione guasti | ||
| Inverter per motori 3-10 kW (48-96 V batteria) | 160 V | High-side e low-side | 2ED2738S01G | 4,8 A | DFN10 3x3 mm | SOI, BSD integrato, UVLO, VSS/COM separati, piazzola termica | MOSFET OptiMOS™ 5 80 V IPT010N08NM5 IPTG011N08NM5 IPB015N08N5 BSC019N08NS5 IST019N08NM5 MOSFET™ IR 100 V IRLS4030 IRF100B201 StrongIRFET™ 2 100 V IPP026N10NF2S IPA030N10NF2S MOSFET OptiMOS™ 5 100 V IPTG014N10NM5 IPTG018N10NM5 IPTC015N10NM5 IPB017N10N5 IST026N10NM5 BCS027N10NS5 MOSFET OptiMOS™ 6 100 V ISC022N10NM6 |
| 200 V | 10 canali non isolato | 1EDN8550B | 4/8 A | SOT23-6 | Ingressi differenziali puri con robustezza di variazione di massa statica ±80 V e dinamica ±150 V, pin di uscita SRC/SNK separati | ||
| 500 V | High-side e low-side | IRS2110S | 2/2 A | DSO-16 W | MTON/OFF, max=10 ns, alimentazione e massa logica separate, pin SD, ingresso 3-20 V | ||
| 600 V | High-side e low-side | 2EDL23N06PJ | 2,3/2,8 A | DSO-14 | Ingresso 3,3-15 V, transitorio -100 V, PGND, SOI, BSD integrato, OCP, UVLO, abilitazione, segnalazione guasti | ||
| 600 V | High-side e low-side | IRS21867S | 4/4 A | DSO-8 | Ingresso 3-5 V, MTON/OFF, max=35 ns, UVLO, robusto ai transitori negativi | ||
| 650 V | High-side e low-side | 2ED2181S06F | 2,5/2,5 A | DSO-8 | SOI, BSD integrato, ingresso 3,3-15 V, MTON/OFF, max=35 ns, transitorio -100 V | ||
| 650 V | High-side e low-side | 2ED21814S06J | 2,5/2,5 A | DSO-14 | SOI, BSD integrato; ingresso 3,3-15V, MTON/OFF, max=35 ns, transitorio -100, logica separata | ||
| Inverter per motori >10 kW (>96 V batteria) | 1200 V | 1 canale isolato | 1EDB8275F | 5/9 A | DSO-8 | Isolamento base 3 kV con tecnologia CT (UL1577), uscita SRC/SNK separata, UVLO (4 tipi), CMTI >300 V/ns | MOSFET™ IR 150 V IRFB4115 MOSFET OptiMOS™ 5 150 V IPB044N15N5 IPT039N15N5 StrongIRFET™ 200 V IRF200S234 MOSFET OptiMOS™ 3 200 V IPB107N20N3G IPTG111N20NM3FD |
| 2300 V | 1ED3142MU12F | 6/6,5 A | EiceDRIVER™ X3 Compact con uscita separata | ||||
| 1200 V | 2 canali isolato | 2EDB8259F | 5/9 A | DSO-16 | Isolamento base 3 kV con tecnologia CT (UL1577), controllo del tempo di inattività (DTC) e STP, UVLO (4 tipi), CMTI >150 V/ns | ||
| 1200 V | 2 canali isolato | 2EDB8259Y | 5/9 A | DSO-14 | Isolamento base 3 kV con tecnologia CT (UL1577), controllo del tempo di inattività (DTC) e STP, UVLO (4 tipi), CMTI >150 V/ns | ||
| 2300 V | 1 canale isolato | 1ED3121MC12H | 5,5/5,5 A | DSO-8 7,62 mm | EiceDRIVER™ X3 Compact con uscita separata |
Le famiglie di gate driver in CI EiceDRIVER™ di Infineon offrono alta efficienza energetica per contribuire a ridurre il riscaldamento globale causato dalle emissioni di biossido di carbonio. Grazie all'alta immunità al rumore e alla robustezza, sono facili da usare; con caratteristiche quali protezione DESAT, clamping di Miller attivo, controllo della velocità di variazione e configurabilità digitale I2C, il gate driver EiceDRIVER™ è stato ampiamente utilizzato negli inverter e nel PFC per pompe di calore a vari livelli di potenza.
Categorie di pompe di calore per metodo - 3 sistemi principali
Diagramma a blocchi tipico di un sistema a pompa di calore
Gate driver in CI per applicazioni di comando motore
Gate driver in CI consigliati per pompe di calore con inverter
| Classe di tensione (V) gate driver | Prodotto | Tecnologia | N. di canali | UVLO ON/OFF tip. [V] | Corrente di comando Io+/lo- tip. [A] | Ritardo di propagazione off/on tip. [ns] | Caratteristiche | Contenitore | Interruttori e moduli di alimentazione adatti |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 600 V | 6EDL04I06PT | SOI | 6 | 11,7/9,8 | 0,165/0,375 | 490/530 | Diodo bootstrap incorporato; protezione da sovracorrente; abilitazione; segnalazione di guasti; pin separato per massa logica | DSO-28WB | RC-D2 600 V IKD10N60RC2 IKD15N60RC2 TRENCHSTOP™ IGBT6 650 V IKA10N65ET6 IKA15N65ET6 TRENCHSTOP™ 600 V IKA10N60T IKA15N60T TRENCHSTOP™ IGBT7 T7 650 V IKW20N65ET7 IKW30N65ET7 IKW40N65ET7 |
| 600 V | 6EDL04N06P | 9,0/8,1 | 0,165/0,375 | 530/530 | |||||
| 1200 V | 6ED2230S12T | 11,4/10,4 | 0,35/0,65 | 600/600 | Diodo bootstrap incorporato; protezione da sovracorrente; protezione da conduzione incrociata; abilitazione; segnalazione di guasti; tempo di eliminazione guasti programmabile; pin separato per massa logica | DSO-24 | TRENCHSTOP™ IGBT7 S7 1200 V IKW40N120CS7 IKW25N120CS7 MOSFET CoolSiC™ 1200 V IMW120R030M1H IMW120R040M1H |
||
| 1200 V | 6ED2231S12T | 12,2/11,3 | 0,35/0,65 | 600/600 | |||||
| 650 V | 2ED2304S06F | SOI | 2 | 9,1/8,3 | 0,36/0,7 | 300/310 | Diodo bootstrap incorporato; protezione da conduzione incrociata | DSO-8 | RC-D2 600 V IKD10N60RC2 IKD15N60RC2 TRENCHSTOP™ IGBT6 650 V IKA10N65ET6 IKA05N65ET6 TRENCHSTOP™ 600 V IKA10N60T IKA15N60T TRENCHSTOP™ IGBT T7 650 V IKW20N65ET7 IKW30N65ET7 IKW40N65ET7 |
| 2ED2104S06F | 8,9/8,0 | 0,29/0,70 | 90/90 | Diodo bootstrap incorporato; protezione da conduzione incrociata; ingresso di spegnimento | |||||
| 2ED2184S06F | 9,1/8,2 | 2,5/2,5 | 200/200 | ||||||
| 600 V | 2EDL23N06PJ | 9,1/8,3 | 2,3/2,8 | 300/310 | Diodo bootstrap incorporato; protezione da sovracorrente; protezione da conduzione incrociata; abilitazione, segnalazione di guasti; pin separato per massa logica | DSO-14 | |||
| 2EDL23I06PJ | 12,5/11,6 | 2,3/2,8 | 400/420 | ||||||
| 1200 V | 2ED1324S12P | 12,2/11,3 | 2,3/2,3 | 500/500 | Diodo bootstrap incorporato; clamping di Miller attivo; clamping cortocircuito; protezione da sovracorrente; protezione da conduzione incrociata; abilitazione; tempo di eliminazione dei guasti programmabile; pin separato per massa logica | DSO-20DW | TRENCHSTOP™ IGBT S7 1200 V IKW40N120CS7 IKW25N120CS7 MOSFET CoolSiC™ 1200 V IMW120R030M1H IMW120R040M1H |
||
| 2ED1322S12M | 12,2/11,3 | 2,3/4,6 | 350/350 | Diodo bootstrap incorporato; protezione da sovracorrente; protezione da conduzione incrociata; abilitazione; segnalazione di guasti; tempo di eliminazione guasti programmabile; pin separato per massa logica | DSO-16 | ||||
| 1200 V | 1EDI20N12AF | Trasformatore senza nucleo | 1 | 9,1/8,5 | 4,0/3,5 | 120/115 | Uscita source/drain separata; pin separato per massa logica | DSO-8 3,81 mm | TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 1200 V IKW40N120CH7 |
| 1EDI60I12AF | 12,0/11,1 | 10,0/9,4 | 300/300 | ||||||
| 1EDI20I12MF | 12.011.1 | 4,4/4,1 | 300/300 | Clamping di Miller attivo; uscita source/drain separata; pin separato per massa logica | |||||
| 2EDO2OI12-FI | 2 | 12,0/11,0 | 1,5/2,5 | 85/85 | Amplificatore operazionale e comparatore per OCP | DSO-18 | |||
| 2300 V | 1ED312OMU12H | 1 | 10,0/8,0 | 5,5/5,5 | 90/90 | Certificazione UL1577; uscita source/drain separata; pin separato per massa logica | DSO-8 7,62 mm | ||
| 1ED3240MC12H | 11,8/10,8 | 10,0/10,0 | 110/110 | Controllo della velocità di variazione a due livelli; VDE0844-11 (rinforzato); certificazione UL1577; uscita source/drain separata; pin separato per massa logica | |||||
| 1ED3122MC12H | 10,0/8,0 | 10,0/9,0 | 90/90 | Certificazione UL1577; clamping di Miller attivo; pin separato per la massa logica | |||||
| 1ED3140MU12F | 9,3/8,55 | 6,5/5,5 | 45/45 | Certificazione UL1577; uscita source/drain separata; pin separato per massa logica | DSO-8 3,81 mm | ||||
| 1ED3142MU12F | 13,6/12,55 | 6,5/5,5 | 45/45 | Certificazione UL1577; uscita source/drain separata; pin separato per massa logica | |||||
| 1ED3321MC12N | 13,6/12,55 | 6/8,5 | 85/85 | Certificazione UL1577 e VDE-11; clamping di Miller attivo; DESAT e spegnimento graduale | DSO-16 7,62 mm |
Gate driver in CI consigliati per pompe di calore con PFC
| Classe di tensione (V) gate driver | Prodotto | Tipo PFC | Tecnologia | N. di canali | UVLO ON/OFF tip. [V] | Corrente di comando Io+/lo- tip. [A] | Ritardo di propagazione off/on tip. [ns] | Caratteristiche | Contenitore | Interruttori e moduli di alimentazione adatti |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 25 V | IRS4427S | PFC boost | Low-side doppio | 2 | - | 2,3/3,3 | 65/85 | DSO-8 | TRENCHSTOP™ 5 WR6 650 V IKWH30N65WR6 IKW40N65WR6 TRENCHSTOP™ 5 H5 650 V IKW40N65RH5 IKWH40N65WR6XKSA1 Diodo RAPID 1 IDW30C65D1 TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 1200 V IKW40N120CH7 IKW40N120CH7XKSA1 Modulo EasyPIM™ (IGBT) FB50R07W2E3_B23 FB50R07W2E3_C36 |
|
| 24 V | 2ED24427N01F | 11,5/10,0 | 10,0/10,0 | 40/55 | DSO-8 con PowerPAD | |||||
| 25 V | 1ED44171N01B | Low-side singolo | 1 | 11,9/11,4 | 2,6/2,6 | 50/50 | SOT-23-5 | |||
| 1ED44176N01F | 11,9/11,4 | 0,8/1,75 | 50/50 | DSO-8 | ||||||
| 1ED44173N01B | 8,0/7,3 | 2,6/2,6 | 34/34 | SOT-23-6 | ||||||
| 1ED44175N01B | 11,9/11,0 | 2,6/2,6 | 50/50 | |||||||
| 650 V | 2ED2304S06F | PFC totem pole | SOI | 2 | 9,1/8,3 | 0,36/0,7 | 300/310 | Diodo bootstrap incorporato; protezione da conduzione incrociata | DSO-8 | TRENCHSTOP™ 5 650 V IKWH30N65WR6 IKW40N65WR6 TRENCHSTOP™ 5 H5 650 V IKW40N65RH5 |
| 2ED2104S06F | 8,9/8,0 | 0,29/0,7 | 90/90 | Diodo bootstrap incorporato; protezione da conduzione incrociata; ingresso di spegnimento | ||||||
| 2ED2184S06F | 9,1/8,2 | 2,5/2,5 | 200/200 | Diodo bootstrap incorporato; protezione da conduzione incrociata; ingresso di spegnimento | ||||||
| 600 V | 2EDL23N06PJ | 9,1/8,3 | 2,3/2,8 | 300/310 | Diodo bootstrap incorporato; sovracorrente; protezione da conduzione incrociata; abilitazione; segnalazione di guasti; pin separato per massa logica | DSO-14 | ||||
| 2EDL23I06PJ | 12,2/11,3 | 2,3/2,3 | 400/420 | |||||||
| 1200 V | 2ED1324S12P | 12,2/11,3 | 2,3/2,3 | 500/500 | Diodo bootstrap incorporato; clamping di Miller attivo; protezione da sovracorrente; protezione da conduzione incrociata; abilitazione; segnalazione di guasti; tempo di eliminazione dei guasti programmabile; pin separato per massa logica | DSO-20DW | TRENCHSTOP™ IGBT H7 1200 V IKW40N120CH7XKSA1 |
|||
| 2ED1322S12M | 12,2/11,3 | 2,3/4,6 | 350/350 | Diodo bootstrap incorporato; protezione da sovracorrente; protezione da conduzione incrociata; abilitazione; tempo di eliminazione dei guasti programmabile; pin separato per massa logica | DSO-16 | |||||
| 1200 V | 1EDI20N12AF | Trasformatore senza nucleo | 1 | 9,1/8,5 | 4,0/3,5 | 12/115 | Uscita source/drain separata; pin separato per massa logica | DSO-8 3,81 mm | TRENCHSTOP™ IGBT H7 1200 V IKW40N120CH7XKSA1 Modulo EasyPIM™ (IGBT) FP25R12W1T7_B11 FP35R12W2T7_B11 FP50R12W2T7_B11 FP35R12N2T7_B11 FP50R12N2T7_B11 FS55MR12W1M1HB11NPSA1 FS33MR12W1M1HPB11BPSA1 FS33MR12W1M1HPB11BPSA1 | |
| 1EDI60I12AF | 12,0/11,1 | 1,0/9,4 | 300/300 | |||||||
| 1EDI20I12MF | 12,0/11,1 | 4,4/4,1 | Clamping di Miller attivo; uscita source/drain separata; pin separato per massa logica | |||||||
| 2ED020I12-FI | 2 | 12,0/11,0 | 1,5/2,5 | 85/85 | Amplificatore operazionale e comparatore per OCP | DSO-8 3,81 mm | ||||
| 2300 V | 1ED3120MU12H | 1 | 10,0/8,0 | 5,5/5,5 | 90/90 | Certificazione UL1577; uscita source/drain separata; pin separato per massa logica | DSO-18 | |||
| 1ED3122MU12H | 10,0/8,0 | 10,0/9,0 | Certificazione UL1577; clamping di Miller attivo; pin separato per la massa logica | DSO-8 7,62 mm | ||||||
| 1ED3140MU12F | 9,3/8,55 | 6,5/5,5 | 45/45 | Certificazione UL1577; uscita source/drain separata; pin separato per massa logica | ||||||
| 1ED3142MU12F | 13,6/12,55 | Certificazione UL1577; uscita source/drain separata; pin separato per massa logica | DSO-8 3,81 mm | |||||||
| 1ED3321MC12N | 13,6/12,55 | 6/8,5 | 85/85 | Certificazione UL1577 e VDE-11; clamping di Miller attivo; DESAT e spegnimento graduale | DSO-16 7,62 mm |
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