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Schaltkomponenten für die Zukunft
Die perfekte Abstimmung von Gate-Treiber-ICs und Leistungsschaltern von Infineon.
Infineon bietet ein umfassendes Portfolio von EiceDRIVER™-Gate-Treiber-ICs mit einer Vielzahl von Konfigurationen, Spannungsklassen, Isolierungspegeln, Schutzfunktionen und Gehäuseoptionen. Die EiceDRIVER™-Gate-Treiber-ICs ergänzen die diskreten IGBTs und IGBT-Module von Infineon sowie deren Silizium- (CoolMOS™, OptiMOS™ und StrongIRFET™), Siliziumkarbid-MOSFETs (CoolSiC™) und Galliumnitrid-HEMTs (CoolGaN™) oder bilden einen Teil der integrierten Leistungsmodule (CIPOS™-IPM und intelligentes iMOTION™-IPM) des Herstellers.
- Laden von Elektrofahrzeugen
- Akku-Werkzeuge/Robotik/Elektro-Leichtfahrzeuge
- Wärmepumpen
- Ressourcen
Mit der zunehmenden Verbreitung der Elektromobilität werden DC-Schnellladegeräte für das effiziente Laden von Elektrofahrzeugen benötigt. DC-Ladegeräte bieten höhere Ladegeschwindigkeiten als Standard-AC-Ladegeräte. Ein 150-kW-DC-Ladegerät kann ein Elektrofahrzeug in 15 Minuten auf eine Reichweite von 200 km aufladen. Infineon ist mit seinem Know-how in den Bereichen Elektromobilität und Spannungsversorgung ein natürlicher Partner für die Weiterentwicklung der DC-Elektrofahrzeug-Technologie.
Empfohlene Gate-Treiber
| Anwendungen | Spannungsklasse (V) | Konfiguration | Produkt | Typ. Quellen-/Senkenstrom | Gehäuse | Beschreibung | Geeignete Leistungsschalter und -module |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DC/DC (<22 kW) |
600 V | High- und Low-Side | IRS2186S | 4/4 A | DSO-8 | Hoher Strom für hohe Leistung und Schaltfrequenz | CoolMOS™-MOSFET IPW60R018CFD7 IPW60R037CSFD CoolSIC™-MOSFET IMZ120R030M1H IMZA120R040M1H CoolSIC™-Schottky-Diode IDW40G120C5B IDWD40G120C5 CoolSIC™-Modul FF33MR12W1M1H (P)_B11 F4-33MR12W1M1H(P)_B11 FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 |
| 650 V | 2ED2110S06M | 2,5/2,5 A | DSO-16, 7,62 mm | Infineon-SOI, Bootstrap-Diode integriert, schnelle Pegelwandlung, Abschaltung, VSS/COM separat | |||
| 650 V | 22ED2181S06F | 2,5/2,5 A | DSO-8 | Infineon-SOI, Bootstrap-Diode integriert, HIN, LIN | |||
| 2300 V | 1 Kan., isoliert | 1ED3125MU12F | 10/9 A | DSO-8 | EiceDRIVER™X3 Compact mit Miller-Klemme | ||
| 1200 V | High- und Low-Side | IR2213S | 2/2,5 A | DSO-16, 7,62 mm | Abschaltung und getrennte Spannungsversorgung | ||
| 1200 V | Halbbrücke | IR2214SS | 2/3 A | SSOP-24 | DESAT, Sanftauslauf, zweistufiges Einschalten, Fehlerberichte, Synchronisation | ||
| DC/DC (<50 kW) |
2300 V | 1 Kan., isoliert | IED3124MU12F | 13,5/14 A | DSO-8 | EiceDRIVER™ X3 Compact mit separatem Ausgang | CoolMOS™-MOSFET IPW60R018CFD7 IPW60R037CSFD CoolSIC™-MOSFET IMZ120R030M1H IMZ120R040M1H CoolSIC™-Schottky-Diode IDW40G120C5B IDWD40G120C5 CoolSIC™-Modul FF8MR12W1M1H(P)_B11 FF17MR12W1M1H(P)_B11 FF11MR12W2M1H(P)_B11 F4-17MR12W1M1H(P)_B11 |
| 1200 V | 2 Kan., isoliert | 2EDR8259H | 4/8 A | PG-DSO-16 | EiceDRIVER™ 2EDi mit verstärkter Isolierung | ||
| 2300 V | 1 Kan., isoliert | 1ED3122MC12H | 10/9 A | PG-DSO-8-66 | EiceDRIVER™X3 Compact mit Miller-Klemme | ||
| DC/DC (<150 kW) | 2300 V | 1ED3124MC12H | 13,5/14 A | DSO-8, 7,62 mm | EiceDRIVER™ X3 Compact mit separatem Ausgang | CoolMOS™-MOSFET IPW60R018CFD7 CoolSIC™-MOSFET IMZ120R030M1H IMZ120R040M1H CoolSIC™-Schottky-Diode IDW40G120C5B IDWD40G120C5 CoolSIC™-Modul FF4MR12W2M1H(P)-B11 F4-11MR12W2M1H(P)_B11 FF4MR12W2M1HB70BPSA1 F411MR12W2M1HB70BPSA1 |
|
| 1ED3321MC12N | 6/8,5 A | DSO-16 | EiceDRIVER™ Enhanced 1ED-f3 mit DESAT, Sanftauslauf und Miller-Klemme | ||||
| 1ED3890MC12M | 7,5/11 A | DSO-16, Feinraster | EiceDRIVER™ Enhanced X3 Digital mit I2C-Konfigurierbarkeit, DESAT, Sanftauslauf und Miller-Klemme | ||||
| Aufwärts-PFC referenzbezogen | 25 V | 1 Kan., nicht isoliert | 1ED4417N01B | 2,6/2,6 A | SOT23-5 | Freigabe, programmierbare Zeit zum Löschen von Fehlern, Unterspannungsabschaltung | CoolMOS™-MOSFET P7 IPW60R037P7 IPW60R024P7 650-V-IGBT TRENCHSTOP™5 H5 IKW50N65EH5 TRENCHSTOP™5 WR6 650 V IKWH40N65WR6 IKWH50N65WR6 1200-V-CoolSIC™-MOSFET IMW120R030M1H IMW120R040M1H TRENCHSTOP™ 7 H7 1200 V IKW50N120CH7 CoolSiC™-Diode IDWD30G120C5 IDWD40G120C5 |
| 1ED44175N01B | 2,6/2,6 A | SOT23-6 | Schneller, genauer (±5 %) Überstromschutz, Fehlermeldung, Freigabe, negative Strommessung | ||||
| 1ED44176N01F | 0,8/1,75 A | DSO-8 | Schneller, genauer (±5 %) Überstromschutz, Fehlermeldung, Freigabe, positive Strommessung, VSS/COM separat | ||||
| IES44273L | 1,5/1,5 A | SOT23-5 | Zusätzliches OUT-Pin | ||||
| 200 V | 1EDN8550B | 4/8 A | SOT23-6 | Echte Differenzeingänge mit Festigkeit gegenüber statischer Masseverschiebung von ±80 V | |||
| Aufwärts-PFC verschachtelt | 22 V | 2 Kan., nicht isoliert | 2EDN8534F | 5/5 A | DSO-8 | Auf 2 ns abgestimmte Verzögerung, Laufzeitverzögerung von 19 ns | |
| 25 V | IRS4427S | 2,3/2,3 A | DSO-8 | Abgestimmte Laufzeitverzögerung | |||
| Totem-Pole-PFC | 650 V | High- und Low-Side | 2ED2181S06F | 2,5/2,5 A | DSO-8 | Infineon-SOI, Bootstrap-Diode integriert, HIN, LIN | 600-V-CoolMOS™-MOSFET MOS CFD 7 IPP60R070CFD7 IPP60R280CFD7 IPT60R035CFD7 650-V-CoolSIC™-Hybrid diskret IKW40N65RH5 IKW50N65RH5 IKW75N65RH5 IKW50N65SS5 IKW75N65SS5 EasyPACK™-IGBT-MODUL FS100R12W2T7 |
| 1200 V | 2 Kan., isoliert | 2EDB8259F | 4/8 A | DSO-16 | EiceDRIVER™ 2EDI mit Basisisolierung (3 kV, UL1577) | ||
| 2EDB8259Y | 5/9 A | DSO-14 | EiceDRIVER™ 2EDI mit Basisisolierung (3 kV, UL1577) | ||||
| Vienna-Gleichrichter und NPC2 | 22 V | 2 Kan., nicht isoliert | 2EDN7534F | 5/5 A | DSO-8 | Auf 2 ns abgestimmte Verzögerung, Laufzeitverzögerung von 19 ns | 650-V-CoolMOS™-MOSFET C7 IPP65R045C7 IPW65R019C7 IPL65R070C7 600-V-CoolMOS™-MOSFET P7 IPP60R060P7 IPW60R024P7 650 V TRENCHSTOP™ 5 H5 IKW75N65EH5 1200-V-CoolSIC™-Schottky-Diode IDW40G120C5B CoolSIC™-Module F3L11MR12W2M1H_B19 F3L11MR12W2M1HP_B19 F3L8MR12W2M1H_B11 F3L8MR12W2M1HP_B11 |
| 1200 V | 1 Kan., isoliert | 1EDB6275F | 5/9 A | DSO-8 | EiceDRIVER™ 1EDB mit Basisisolierung (3 kV, UL1577) | ||
| 2300 V | 1ED3142MU12F | 6/6,5 A | DSO-8 | EiceDRIVER™ X3 Compact mit separatem Ausgang | |||
| Dreiphasen-Vollbrücke | 2300 V | 1 Kan., isoliert | 1ED3461MC12N | 7,5/5 A | DSO-16 | EiceDRIVER™ Enhanced X3 Analog mit einstellbarer DESAT, Sanftauslauf und Miller-Klemme | CoolSiC™-Module FS13MR12W2M1HPB11 |
| 1ED3321MC12N | 6/8,5 A | DSO-16 | EiceDRIVER™ Enhanced 1ED-F3 mit einstellbarer DESAT, Sanftauslauf und Miller-Klemme |
Millionen von Haushalten verlassen sich bei ihren täglichen Aufgaben auf Elektrowerkzeuge. Verbraucher wünschen sich robuste, zuverlässige, tragbare Werkzeuge mit niedrigem Preis und langer Batterielaufzeit. Das innovative Portfolio von Infineon bietet Sicherheitsfunktionen und erfüllt die Anforderungen der Kundschaft für alle Anwendungen von Elektrowerkzeugen bei gleichzeitiger Kostensenkung.
Empfohlene Gate-Treiber für Niederspannungs- und batteriebetriebene Anwendungen
| Anwendungen/Zielmärkte | Gate-Treiber-Spannungsklasse (V) | Konfiguration | Produkt | Typ. Quellen-/Senkenstrom | Gehäuse | Beschreibung | Geeignete Leistungsschalter und -module |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Motorwechselrichter/BLDC | 60 V | Dreiphasig | 6EDL7141 | 1,5/1,5 AV | VQFN-48, 7 mm x 7 mm | Vollständig programmierbare, integrierte Spannungsversorgungen und Strommessverstärker | StrongIRFET™-MOSFET IRF7480M IRF6726M MOSFET StrongIRFET™ 2 IPP016N08NF2S IPP026N10NF2S 30-V-MOSFET OptiMOS™ 5 BSZ0500NSI BSC009NE2LS5 40-V-MOSFET OptiMOS™ 5 BSC019N04LS BSZ028N04LS 60-V-MOSFET OptiMOS™ 5 BSC012N06NS IPT007N06N 80-V-MOSFET OptiMOS™ 5 BSC021N08NS5 IPT010N08NM5 100-V-MOSFET OptiMOS™ 5 BSC027N10NS5 IPT015N10N5 150-V-MOSFET OptiMOS™ 5 BSC074N15NS5 |
| 160 V | High- und Low-Side | 2ED2732S01G | 1/2 A | DFN10, 3 mm x 3 mm | Infineon-SOI, Bootstrap-Diode integriert, VSS/COM separat, Wärmeleitpad | ||
| 160 V | Dreiphasig | 6ED2742S01Q | 1/2 A | QFN32, 5 mm x 5 mm | Infineon-SOI, Bootstrap-Diode integriert, Leistungsmanagementeinheit, Ladungspumpen zur Erhaltungsladung, programmierbarer Überstromschutz und Strommessverstärker, RFE | ||
| 160 V | Halbbrücke | 2ED2748S01G | 4/8 A | DFN10, 3 mm x 3 mm | Infineon-SOI, Bootstrap-Diode integriert, VSS/COM separat, Wärmeleitpad | ||
| 200 V | 1 Kan., nicht isoliert | 1EDN7550B | 4/8 A | SOT23-6 | Echte Differenzeingänge, Festigkeit gegenüber statischer Masseverschiebung von ±80 V | ||
| 200 V | Dreiphasig | 6ED003L02-F2 | 0,165/0,375 A | TSSOP-28 | Infineon-SOI, Überstromschutz, Freigabe, Fehlermeldung | ||
| 200 V | 6EDL04N02PR | 0,165/0,375 A | Infineon-SOI, Bootstrap-Diode integriert, Überstromschutz, Freigabe, Fehlermeldung | ||||
| 200 V | High- und Low-Side | IRS2005S | 0,29/0,6 A | DSO-8 | Unterspannungsabschaltung für VCC und VBS, abgestimmte Laufzeitverzögerung | ||
| 200 V | Halbbrücke | IRS2007S | 0,29/0,6 A | Unterspannungsabschaltung für VCC und VBS, abgestimmte Laufzeitverzögerung | |||
| 200 V | High- und Low-Side | IRS2011S | 1/1 A | Laufzeitverzögerung von 60 ns, Unterspannungsabschaltung für VCC und VBS | |||
| 600 V | Halbbrücke | 2EDL05N06PF | 0,36/0,7 AD | Infineon-SOI, Bootstrap-Diode integriert | |||
| 600 V | 2EDL23N06PJ | 2,3/2,8 A | DSO-14 | Infineon-SOI, Bootstrap-Diode integriert, Überstromschutz, Freigabe, Fehlermeldung | |||
| 600 V | Dreiphasig | 6EDL04N06PT | 0,165/0,375 A | DSO-28, 7,62 mm | Infineon-SOI, Bootstrap-Diode integriert, Überstromschutz, Freigabe, Fehlermeldung | ||
| 600 V | High- und Low-Side | IRS21867S | 4/4 A | DSO-8 | Hoher Strom für hohe Leistung und Schaltfrequenz mit niedrigem Pegel für Unterspannungsabschaltung (6 V/5,5 V) | ||
| Akkuladegerät | 22 V | 1 Kan., nicht isoliert | 1EDN8511B | 4/8 A | SOT23-6 | Separater Ausgang, Laufzeitverzögerung von 19 ns | CoolMOS™-MOSFET IPW60R070CFD7 IPAN60R125PFD7S CoolMOS™-P7-MOSFET IPA80R900P7 IPA60R180P7S 650-V-CoolSiC™-MOSFET IMW65R048M1H IMZA65R072M1H CoolSiC™-Diode IDH10G65C6 IDW20G65C5B OptiMOS™ 5 IPA083N10N5 IPA029N06N |
| 22 V | 2 Kan., nicht isoliert | 2EDN8534F | 5/5 A | DSO-8 | Auf 2 ns abgestimmte Verzögerung, Laufzeitverzögerung von 19 ns | ||
| 25 V | 1 Kan., nicht isoliert | 1ED44171N01B | 2,6/2,6 A | SOT23-5 | Freigabe, programmierbare Zeit zum Löschen von Fehlern, Unterspannungsabschaltung | ||
| 25 V | 1ED44175N01B | 2,6/2,6 A | SOT23-6 | Schneller, genauer (±5 %) Überstromschutz, Fehlermeldung, Freigabe, negative Strommessung | |||
| 25 V | IRS44273L | 1,5/1,5 A | SOT23-5 | Zusätzliches OUT-Pin | |||
| 600 V | High- und Low-Side | IRS2186S | 4/4 A | DSO-8 | Hoher Strom für hohe Leistung und Schaltfrequenz | ||
| 650 V | 2ED2106S06F | 0,29/0,7 A | Infineon-SOI, Bootstrap-Diode integriert, HIN, LIN | ||||
| 650 V | 2ED2110S06M | 2,5/2,5 A | DSO-16, 7,62 mm | Infineon-SOI, Bootstrap-Diode integriert, schnelle Pegelwandlung, Abschaltung, VSS/COM separat | |||
| 650 V | 2ED2181S06F | 2,5/2,5 A | DSO-8 | Infineon-SOI, Bootstrap-Diode integriert, HIN, LIN |
Empfohlene Gate-Treiber für Elektro-Leichtfahrzeuge
| Anwendungen/Zielmärkte | Gate-Treiber-Spannungsklasse (V) | Konfiguration | Produkt | Typ. Quellen-/Senkenstrom | Gehäuse | Beschreibung | Geeignete Leistungsschalter und -module |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Motorwechselrichter < 3 kW (Batterie < 48 V) | 60 V | Dreiphasig | 6EDL7141 | 1,5/1,5 A | VQFN-48, 7 mm x 7 mm | Vollständig programmierbare, integrierte Spannungsversorgungen und Strommessverstärker, Anstiegsratensteuerung, Schutzfunktionen | 60 V StrongIRET™ IRFS753060 IRF60SC241 60-V-MOSFET OptoMOS™ 5 IPTG007N06NM5 IPB01N06N IST011N06NM5 BSC012N06NS 75 V STrongIRFET™ IRFB7730 BSC036NE7NS3G |
| 160 V | High- und Low-Side | 2ED2732S01G | 1/2 A | DFN10, 3 mm x 3 mm | SOI, BSB integriert, Unterspannungsabschaltung, VSS/COM separat, Wärmeleitpad | ||
| 160 V | Dreiphasig | 6ED2742S01Q | 1/2 A | QFN32, 5 mm x 5 mm | SOI, Bootstrap-Diode integriert, Leistungsmanagementeinheit, 100 % DC mit Erhaltungsladungspumpe, programmierbarer Überstromschutz mit einstellbarer Verstärkung, Strommessverstärker, RFE | ||
| 200 V | Dreiphasig | 6EDL04N02PR | 0,165/0,375 A | TSSOP-28 | Infineon-SOI, Bootstrap-Diode integriert, Überstromschutz, Freigabe, Fehlermeldung | ||
| 200 V | High- und Low-Side | IRS2005 | 0,29/0,6 A | DSO-8 | Unterspannungsabschaltung, MTON/OFF, max. 50 ns, Eingang 3,3 V-15 V | ||
| 200 V | High- und Low-Side | IRS2011S | 1/1 A | DSO-8 | Unterspannungsabschaltung, MTON/OFF, max. 20 ns, Eingang 3,3 V-15 V | ||
| 600 V | High- und Low-Side | 2EDL05N06PF | 0,36/0,7 A | DSO-8 | SOI, Unterspannungsabschaltung, MTON/OFF, max. 60 ns, Eingang 3,3-15 V, Bootstrap-Diode | ||
| 600 V | Dreiphasig | 6EDL04N06PF | 0,165/0,375 A | DSO-28, 7,62 mm | Infineon-SOI, Bootstrap-Diode integriert, Überstromschutz, Freigabe, Fehlermeldung | ||
| 600 V | High-Side einfach | IRS21271S | 0,2/0,42 A | DSO-8 | Unterspannungsabschaltung, Überstromschutz, Eingang von 3-15 V, Fehlermeldung | ||
| Motorwechselrichter 3-10 kW (Batterie 48-96 V) | 160 V | High- und Low-Side | 2ED2738S01G | 4,8 A | DFN10, 3 mm x 3 mm | SOI, Bootstrap-Diode integriert, Unterspannungsabschaltung, VSS/COM separat, Wärmeleitpad | 80-V-MOSFET OptiMOS™5 IPT010N08NM5 IPTG011N08NM5 IPB015N08N5 BSC019N08NS5 IST019N08NM5 100-V-IR-MOSFET™ IRLS4030 IRF100B201 100 V StrongIRFET™ 2 IPP026N10NF2S IPA030N10NF2S 100-V-MOSFET OptiMOS™ 5 IPTG014N10NM5 IPTG018N10NM5 IPTC015N10NM5 IPB017N10N5 IST026N10NM5 BCS027N10NS5 100-V-MOSFET OptiMOS™6 ISC022N10NM6 |
| 200 V | 10 Kan., nicht isoliert | 1EDN8550B | 4/8 A | SOT23-6 | Echte Differenzeingänge, mit Festigkeit gegenüber statischer Masseverschiebung von ±80 V und dynamischer Masseverschiebung von ±150 V, getrennte SRC/SNK-Ausgangspins | ||
| 500 V | High- und Low-Side | IRS2110S | 2/2 A | DSO-16 W | MTON/OFF, max. 10 ns, getrennte Masse für Leistung und Logik, SD-Pin, Eingang von 3-20 V | ||
| 600 V | High- und Low-Side | 2EDL23N06PJ | 2,3/2,8 A | DSO-14 | Eingang von 3,3-15 V, -100 V transient, PGND, SOI, Bootstrap-Diode integriert, Überstromschutz, Unterspannungsabschaltung, Freigabe, Fehlermeldung | ||
| 600 V | High- und Low-Side | IRS21867S | 4/4 A | DSO-8 | Eingang von 3-5 V, MTON/OFF, max. 35 ns, Unterspannungsabschaltung, toleriert neg. Transienten | ||
| 650 V | High- und Low-Side | 2ED2181S06F | 2,5/2,5 A | DSO-8 | SOI, Bootstrap-Diode integriert, Eingang von 3,3-15 V, MTON/OFF, max. 35 ns, -100 V transient | ||
| 650 V | High- und Low-Side | 2ED21814S06J | 2,5/2,5 A | DSO-14 | SOI, Bootstrap-Diode integriert, Eingang von 3,3-15 V, MTON/OFF, max. 35 ns, -100 transient, Logik separat | ||
| Motorwechselrichter > 10 kW (Batterie > 96 V) | 1200 V | 1 Kan., isoliert | 1EDB8275F | 5/9 A | DSO-8 | Basisisolierung von 3 kV mit CT-Technologie (UL1577), separater SRC/SNK-Ausgang, Unterspannungsabschaltung (4 Typen), CMTI > 300 V/ns | 150-V-MOSFET IR MOSFET™ IRFB4115 150-V-MOSFET OptiMOS™ 5 IPB044N15N5 IPT039N15N5 200 V StrongIRFET™ IRF200S234 200-V-MOSFET OptiMOS™ 3 IPB107N20N3G IPTG111N20NM3FD |
| 2300 V | 1ED3142MU12F | 6/6,5 A | EiceDRIVER™ X3 Compact mit separatem Ausgang | ||||
| 1200 V | 2 Kan., isoliert | 2EDB8259F | 5/9 A | DSO-16 | Basisisolierung von 3 kV mit CT-Technologie (UL1577), Totzeitsteuerung (DTC) und STP, Unterspannungsabschaltung (4 Typen), CMTI > 150 V/ns | ||
| 1200 V | 2 Kan., isoliert | 2EDB8259Y | 5/9 A | DSO-14 | Basisisolierung von 3 kV mit CT-Technologie (UL1577), Totzeitsteuerung (DTC) und STP, Unterspannungsabschaltung (4 Typen), CMTI > 150 V/ns | ||
| 2300 V | 1 Kan., isoliert | 1ED3121MC12H | 5,5/5,5 A | DSO-8, 7,62 mm | EiceDRIVER™ X3 Compact mit separatem Ausgang |
Die Gate-Treiber-ICs der Familie EiceDRIVER™ von Infineon bieten einen hohen Wirkungsgrad, um die durch Kohlendioxidemissionen verursachte globale Erwärmung zu reduzieren. Mit Funktionen wie Entsättigungsschutz, aktiver Miller-Klemme, Anstiegsratensteuerung und digitaler Konfigurierbarkeit über I2C kommen die EiceDRIVER™-Gate-Treiber verbreitet in der Wechselrichtung und Leistungsfaktorkorrektur für Wärmepumpen mit verschiedenen Leistungspegeln zum Einsatz. Außerdem zeichnen sie sich durch eine hohe Störfestigkeit und Robustheit aus.
Kategorien von Wärmepumpen nach Verfahren - 3 Hauptsysteme
Typisches Blockschaltbild eines Wärmepumpensystems
Gate-Treiber-ICs für Motorantriebe
Empfohlene Gate-Treiber-ICs (Wärmepumpe – Wechselrichter)
| Gate-Treiber-Spannungsklasse (V) | Produkt | Technologie | Anzahl der Kanäle | UVLO EIN/AUS typ. [V] | Treiberstrom I0+/l0- typ. [A] | Laufzeitverzögerung Aus/Ein typ. [ns] | Merkmale/Funktionen | Gehäuse | Geeignete Leistungsschalter und -module |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 600 V | 6EDL04I06PT | SOI | 6 | 11,7/9,8 | 0,165/0,375 | 490/530 | Bootstrap-Diode integriert, Überstromschutz, Freigabe, Fehlermeldung, Pin für Logik-Masse separat | DSO-28WB | 600 V RC-D2 IKD10N60RC2 IKD15N60RC2 650-V-IGBT TRENCHSTOP™ 6 IKA10N65ET6 IKA15N65ET6 600 V TRENCHSTOP™ IKA10N60T IKA15N60T 650-V-IGBT7 TRENCHSTOP™ T7 IKW20N65ET7 IKW30N65ET7 IKW40N65ET7 |
| 600 V | 6EDL04N06P | 9,0/8,1 | 0,165/0,375 | 530/530 | |||||
| 1200 V | 6ED2230S12T | 11,4/10,4 | 0,35/0,65 | 600/300 | Bootstrap-Diode integriert, Überstromschutz, Durchschlagschutz, Freigabe, Fehlermeldung, programmierbare Zeit für Löschen von Fehlern, Pin für Logik-Masse separat | DSO-24 | 1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7 S7 IKW40N120CS7 IKW25N120CS7 1200-V-CoolSiC™-MOSFET IMW120R030M1H IMW120R040M1H |
||
| 1200 V | 6ED2231S12T | 12,2/11,3 | 0,35/0,65 | 600/300 | |||||
| 650 V | 2ED2304S06F | SOI | 2 | 9,1/8,3 | 0,36/0,7 | 300/310 | Bootstrap-Diode integriert, Durchschlagschutz | DSO-8 | 600 V RC-D2 IKD10N60RC2 IKD15N60RC2 650 V TRENCHSTOP™ IGBT6 IKA10N65ET6 IKA05N65ET6 600 V TRENCHSTOP™ IKA10N60T IKA15N60T 650 V TRENCHSTOP™ IGBT T7 IKW20N65ET7 IKW30N65ET7 IKW40N65ET7 |
| 2ED2104S06F | 8,9/8,0 | 0,29/0,7 | 90/90 | Bootstrap-Diode integriert, Durchschlagschutz, Abschalteingang | |||||
| 2ED2184S06F | 9,1/8,2 | 2,5/2,5 | 200/200 | ||||||
| 600 V | 2EDL23N06PJ | 9,1/8,3 | 2,3/2,8 | 300/310 | Bootstrap-Diode integriert, Überstromschutz, Durchschlagschutz, Freigabe, Fehlermeldung, Pin für Logik-Masse separat | DSO-14 | |||
| 2EDL23I06PJ | 12,5/11,6 | 2,3/2,8 | 400/420 | ||||||
| 1200 V | 2ED1324S12P | 12,2/11,3 | 2,3/2,3 | 500/500 | Bootstrap-Diode integriert, aktive Miller-Klemme, Kurzschlussstrombegrenzung, Überstromschutz, Durchschlagschutz, Freigabe, programmierbare Zeit für Löschen von Fehlern, Pin für Logik-Masse separat | DSO-20DW | 1200-V-TRENCHSTOP™-IGBT S7 IKW40N120CS7 IKW25N120CS7 1200-V-CoolSiC™-MOSFET IMW120R030M1H IMW120R040M1H |
||
| 2ED1322S12M | 12,2/11,3 | 2,3/4,6 | 350/350 | Bootstrap-Diode integriert, Überstromschutz, Durchschlagschutz, Freigabe, Fehlermeldung, programmierbare Zeit für Löschen von Fehlern, Pin für Logik-Masse separat | DSO-16 | ||||
| 1200 V | 1EDI20N12AF | Kernloser Transformator | 1 | 9,1/8,5 | 4,0/3,5 | 120/115 | Sink/Source-Ausgang und Pin für Logik-Masse separat | DSO-8, 3,81 mm | 1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 IKW40N120CH7 |
| 1EDI60I12AF | 12,0/11,1 | 10,0/9,4 | 300/300 | ||||||
| 1EDI20I12MF | 12,0/11,1 | 4,4/4,1 | 300/300 | Aktive Miller-Klemme, Sink/Source-Ausgang und Pin für Logik-Masse separat | |||||
| 2EDO2OI12-FI | 2 | 12/11 | 1,5/2,5 | 85/85 | Operationsverstärker und Komparator für Überstromschutz | DSO-18 | |||
| 2300 V | 1ED312OMU12H | 1 | 10/8 | 5,5/5,5 | 90/90 | UL1577-Zertifizierung, Sink/Source-Ausgang und Pin für Logik-Masse separat | DSO-8, 7,62 mm | ||
| 1ED3240MC12H | 11,8/10,8 | 10/10 | 110/110 | Zweistufige Anstiegsratensteuerung, VDE0844-11 (verstärkt), UL1577-Zertifizierung, Sink-/Source-Ausgang und Pin für Logik-Masse separat | |||||
| 1ED3122MC12H | 10/8 | 10/9 | 90/90 | UL1577-Zertifizierung, aktive Miller-Klemme, Pin für Logik-Masse separat | |||||
| 1ED3140MU12F | 9,3/8,55 | 6,5/5,5 | 45/45 | UL1577-Zertifizierung, aktive Miller-Klemme, Sink/Source-Ausgang und Pin für Logik-Masse separat | DSO-8, 3,81 mm | ||||
| 1ED3142MU12F | 13,6/12,55 | 6,5/5,5 | 45/45 | UL1577-Zertifizierung, aktive Miller-Klemme, Sink/Source-Ausgang und Pin für Logik-Masse separat | |||||
| 1ED3321MC12N | 13,6/12,55 | 6/8,5 | 85/85 | UL1577- und VDE-11-Zertifizierung, aktive Miller-Klemme, DESAT und Sanftauslauf | DSO-16, 7,62 mm |
Empfohlene Gate-Treiber-ICs (Wärmepumpe – Leistungsfaktorkorrektur)
| Gate-Treiber-Spannungsklasse (V) | Produkt | Typ Leistungsfaktorkorrektur | Technologie | Anzahl der Kanäle | UVLO EIN/AUS typ. [V] | Treiberstrom I0+/l0- typ. [A] | Laufzeitverzögerung Aus/Ein typ. [ns] | Merkmale/Funktionen | Gehäuse | Geeignete Leistungsschalter und -module |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 25 V | IRS4427S | Leistungsfaktorkorrektur für Verstärkungsanwendungen | Low-Side zweifach | 2 | - | 2,3/3,3 | 65/85 | DSO-8 | 650 V TRENCHSTOP™ 5 WR6 IKWH30N65WR6 IKW40N65WR6 650 V TRENCHSTOP™ 5 H5 IKW40N65RH5 IKWH40N65WR6XKSA1 Diode RAPID 1 IDW30C65D1 1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 IKW40N120CH7 IKW40N120CH7XKSA1 EasyPIM™-Module (IGBT) FB50R07W2E3_B23 FB50R07W2E3_C36 |
|
| 24 V | 2ED24427N01F | 11,5/10 | 10/10 | 40/55 | DSO-8 mit Leistungspad | |||||
| 25 V | 1ED44171N01B | Low-Side einfach | 1 | 11,9/11,4 | 2,6/2,6 | 50/50 | SOT-23-5 | |||
| 1ED44176N01F | 11,9/11,4 | 0,8/1,75 | 50/50 | DSO-8 | ||||||
| 1ED44173N01B | 8/7,3 | 2,6/2,6 | 34/34 | SOT-23-6 | ||||||
| 1ED44175N01B | 11,9/11 | 2,6/2,6 | 50/50 | |||||||
| 650 V | 2ED2304S06F | Totem-Pole-PFC | SOI | 2 | 9,1/8,3 | 0,36/0,7 | 300/310 | Bootstrap-Diode integriert, Durchschlagschutz | DSO-8 | 650 V TRENCHSTOP™ 5 IKWH30N65WR6 IKW40N65WR6 650 V TRENCHSTOP™ 5 H5 IKW40N65RH5 |
| 2ED2104S06F | 8,9/8,0 | 0,29/0,7 | 90/90 | Bootstrap-Diode integriert, Durchschlagschutz, Abschalteingang | ||||||
| 2ED2184S06F | 9,1/8,2 | 2,5/2,5 | 200/200 | Bootstrap-Diode integriert, Durchschlagschutz, Abschalteingang | ||||||
| 600 V | 2EDL23N06PJ | 9,1/8,3 | 2,3/2,8 | 300/310 | Bootstrap-Diode integriert, Überstromschutz, Durchschlagschutz, Freigabe, Fehlermeldung, Pin für Logik-Masse separat | DSO-14 | ||||
| 2EDL23I06PJ | 12,2/11,3 | 2,3/2,3 | 400/420 | |||||||
| 1200 V | 2ED1324S12P | 12,2/11,3 | 2,3/2,3 | 500/500 | Bootstrap-Diode integriert, Überstromschutz, Durchschlagschutz, Freigabe, Fehlermeldung, programmierbare Zeit für Löschen von Fehlern, Pin für Logik-Masse separat | DSO-20DW | 1200V TRENCHSTOP™ IGBT H7 IKW40N120CH7XKSA1 |
|||
| 2ED1322S12M | 12,2/11,3 | 2,3/4,6 | 350/350 | Bootstrap-Diode integriert, Überstromschutz, Durchschlagschutz, Freigabe, programmierbare Zeit für Löschen von Fehlern, Pin für Logik-Masse separat | DSO-16 | |||||
| 1200 V | 1EDI20N12AF | Kernloser Transformator | 1 | 9,1/8,5 | 4,0/3,5 | 12/115 | Sink/Source-Ausgang und Pin für Logik-Masse separat | DSO-8, 3,81 mm | 1200V TRENCHSTOP™ IGBT H7 IKW40N120CH7XKSA1 EasyPIM™-Module (IGBT) FP25R12W1T7_B11 FP35R12W2T7_B11 FP50R12W2T7_B11 FP35R12N2T7_B11 FP50R12N2T7_B11 FS55MR12W1M1HB11NPSA1 FS33MR12W1M1HPB11BPSA1 FS33MR12W1M1HPB11BPSA1 | |
| 1EDI60I12AF | 12,0/11,1 | 1/9,4 | 300/300 | |||||||
| 1EDI20I12MF | 12,0/11,1 | 4,4/4,1 | Aktive Miller-Klemme, Sink/Source-Ausgang und Pin für Logik-Masse separat | |||||||
| 2ED020I12-FI | 2 | 12/11 | 1,5/2,5 | 85/85 | Operationsverstärker und Komparator für Überstromschutz | DSO-8, 3,81 mm | ||||
| 2300 V | 1ED3120MU12H | 1 | 10/8 | 5,5/5,5 | 90/90 | UL1577-Zertifizierung, Sink/Source-Ausgang und Pin für Logik-Masse separat | DSO-18 | |||
| 1ED3122MU12H | 10/8 | 10/9 | UL1577-Zertifizierung, aktive Miller-Klemme, Pin für Logik-Masse separat | DSO-8, 7,62 mm | ||||||
| 1ED3140MU12F | 9,3/8,55 | 6,5/5,5 | 45/45 | UL1577-Zertifizierung, Sink/Source-Ausgang und Pin für Logik-Masse separat | ||||||
| 1ED3142MU12F | 13,6/12,55 | UL1577-Zertifizierung, Sink/Source-Ausgang und Pin für Logik-Masse separat | DSO-8, 3,81 mm | |||||||
| 1ED3321MC12N | 13,6/12,55 | 6/8,5 | 85/85 | UL1577- und VDE-11-Zertifizierung, aktive Miller-Klemme, DESAT und Sanftauslauf | DSO-16, 7,62 mm |
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