Diodi e MOSFET al carburo di silicio (SiC)

I materiali WBG di Diodes Incorporated offrono vantaggi rispetto al silicio per molte ragioni, come nel caso della capacità del SiC di sopportare tensioni fino a cinque volte (3 kV) superiori a quelle del silicio con una tensione di rottura (BV) più elevata. Il SiC può anche commutare fino a 10 volte più velocemente del silicio, con perdite di commutazione minime. Una conducibilità termica tre volte migliore significa anche una migliore dissipazione di potenza e dissipatori di calore più piccoli. Di conseguenza, il SiC è più adatto del GaN per le applicazioni ad alta potenza grazie alla migliore conducibilità termica e densità di incapsulamento.

MOSFET SiC

Scegliere i MOSFET SiC rispetto ai MOSFET in silicio comporta diversi vantaggi, tra cui frequenze di commutazione più elevate e dimensioni ridotte di componenti quali induttori, condensatori, filtri e trasformatori.

I MOSFET SiC da 1200 V di Diodes sono progettati per applicazioni di alimentazione con commutazione ad alta tensione che richiedono la massima efficienza e un design compatto. Sono caratterizzati da un'elevata corrente di uscita, da una bassa resistenza nello stato On e da contenitori TO263-7, TO247 e TO247-4 standard del settore, perfetti per i comandi motore, i convertitori c.c./c.c., gli inverter solari e le applicazioni dei caricabatterie EV.

Diodi SiC

I diodi Schottky SiC di Diodes hanno una tensione di 650 ~ 1200 V. Sono disponibili in un'ampia gamma di contenitori, come il TO220 isolato, il TO220 standard e il TO252, che offrono una grande flessibilità ai progettisti in cerca di efficienza, robustezza e di un rapido tempo di immissione sul mercato. I diodi SiC di grado automotive da 650 ~ 1200 V di Diodes sono qualificati AEC-Q101.