MOSFET e diodi CoolSiC™ in carburo di silicio

I diodi Schottky CoolSiC di Infineon forniscono corrente di dispersione e resistenza nello stato On relativamente elevate. Nel materiale SiC, i diodi Schottky possono raggiungere una tensione di rottura molto più elevata. Il portafoglio comprende diodi Schottky CoolSiC, modelli ibridi CoolSiC, moduli MOSFET CoolSiC e componenti discreti, oltre a gate driver in CI EiceDRIVER™ per il pilotaggio di dispositivi in carburo di silicio.

Il portafoglio di prodotti Schottky SiC di Infineon copre diodi Schottky da 600 V e da 650 a 1200 V. La combinazione di un commutatore veloce basato su silicio con un diodo Schottky CoolSiC viene spesso definita una soluzione ibrida. Negli ultimi anni, Infineon ha prodotto diversi milioni di moduli ibridi, che sono stati installati in vari prodotti dei clienti, es. fotovoltaici e gruppi di continuità. I MOSFET CoolSiC sono costruiti su un concetto di trench allo stato dell'arte che definisce un benchmark, consentendo sia basse perdite nell'applicazione che alta affidabilità durante il funzionamento.