ROHM Semiconductor

Gate driver high-side e low-side BM60212

Il driver di ROHM funziona fino a 1200 V e può pilotare MOSFET di potenza a canale N e IGBT

Immagine del driver high-side e low-side BM60212 di ROHM BM60212FV-C di ROHM è un driver in CI high-side e low-side funzionante fino a 1200 V in bootstrap e capace di pilotare MOSFET di potenza a canale N e IGBT. La funzione di blocco di sottotensione (UVLO) e la funzione Miller Clamp sono integrate.

Caratteristiche
  • Qualificati AEC-Q100
  • Tensione di alimentazione flottante high-side: 1200 V
  • Clamping di Miller attivo
  • Funzione di blocco sottotensione
  • Grado 1 compatibile con logica di ingresso a 3,3 V e 5,0 V
  • Tensione massima di pilotaggio del gate: 24 V
  • Gate driver MOSFET
  • Gate driver IGBT
  • Tensione di alimentazione flottante high-side: 1200 V
  • Tempo di accensione/spegnimento: 75 ns (max)
  • Larghezza minima dell'impulso sull'ingresso logico: 60 ns

Tipico circuito applicativo

Immagine di un tipico circuito applicativo

BM60212 High- and Low-Side Driver

ImmagineCodice produttoreDescrizioneQuantità disponibilePrezzoVedi i dettagli
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 20SSOPBM60212FV-CE2IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 20SSOP299 - Immediatamente$3.78Vedi i dettagli
Data di pubblicazione: 2019-08-12

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