Moduli di alimentazione a semiponte in SiC
I moduli di alimentazione in SiC di ROHM integrano MOSFET SiC e SBD in un contenitore standard del settore
I moduli di alimentazione a semiponte in SiC di ROHM Semiconductor integrano MOSFET SiC e SBD in un contenitore standard del settore. Utilizzano un'originale struttura di attenuazione del campo elettrico, insieme a un innovativo metodo di schermatura per mantenere l'affidabilità e per consentire lo sviluppo del primo sistema di produzione di massa per moduli di alimentazione in SiC.
- Bassa induttanza di dispersione
- Caratteristiche di recupero ad alta velocità
- Basse perdite di commutazione
- Nessuna riduzione della potenza necessaria rispetto all'IGBT
- Energia rinnovabile/immagazzinaggio dell'energia
- Caricabatterie e inverter EV/HEV
- Riscaldamento a induzione/saldatura
- HVDC
Full-SiC Half-Bridge Power Modules
| Immagine | Codice produttore | Descrizione | Quantità disponibile | Prezzo | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | BSM120D12P2C005 | MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE | 2 - Immediatamente | $294.22 | Vedi i dettagli |
![]() | ![]() | BSM180D12P3C007 | MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE | 13 - Immediatamente | $450.61 | Vedi i dettagli |
![]() | ![]() | BSM300D12P2E001 | MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULE | 8 - Immediatamente | $568.36 | Vedi i dettagli |
![]() | ![]() | BSM250D17P2E004 | MOSFET 2N-CH 1700V 250A MODULE | 3 - Immediatamente | $787.20 | Vedi i dettagli |
![]() | ![]() | BSM080D12P2C008 | MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULE | 0 - Immediatamente | $254.99 | Vedi i dettagli |
![]() | ![]() | BSM180D12P2C101 | MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE | 1 - Immediatamente | $357.44 | Vedi i dettagli |
![]() | ![]() | BSM180C12P2E202 | SICFET N-CH 1200V 204A MODULE | 0 - Immediatamente | $489.34 | Vedi i dettagli |
![]() | ![]() | BSM400C12P3G202 | SICFET N-CH 1200V 400A MODULE | 4 - Immediatamente | $764.30 | Vedi i dettagli |
![]() | ![]() | BSM600C12P3G201 | SICFET N-CH 1200V 600A MODULE | 0 - Immediatamente | $960.00 | Vedi i dettagli |











