VideoLibrary

ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

Optimize your designs with SiC power devices and gate drivers from ROHM, the pioneer and industry leader in SiC technology.

2/6/2023 4:57:29 PM

Part List

ImmagineCodice produttoreDescrizioneQuantità disponibilePrezzoVedi i dettagli
MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULEBSM080D12P2C008MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULE61 - Immediatamente$250.53Vedi i dettagli
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULEBSM180D12P3C007MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE13 - Immediatamente$442.72Vedi i dettagli
MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULEBSM300D12P2E001MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULE16 - Immediatamente$588.36Vedi i dettagli
MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULEBSM180D12P2C101MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE1 - Immediatamente$353.78Vedi i dettagli
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULEBSM120D12P2C005MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE2 - Immediatamente$294.92Vedi i dettagli
MOSFET IPM 1.2KV 134A MODULEBSM120C12P2C201MOSFET IPM 1.2KV 134A MODULE7 - Immediatamente$280.60Vedi i dettagli
MOSFET 2N-CH 1200V 600A MODULEBSM600D12P3G001MOSFET 2N-CH 1200V 600A MODULE0 - ImmediatamenteSee Page for PricingVedi i dettagli
MOSFET 2N-CH 1200V 400A MODULEBSM400D12P3G002MOSFET 2N-CH 1200V 400A MODULE2 - Immediatamente$978.57Vedi i dettagli
MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULEBSM300D12P3E005MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULE6 - Immediatamente$1,077.94Vedi i dettagli
MOSFET 2N-CH 1700V 250A MODULEBSM250D17P2E004MOSFET 2N-CH 1700V 250A MODULE8 - Immediatamente$844.09Vedi i dettagli
MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULEBSM180D12P2E002MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE4 - Immediatamente$531.73Vedi i dettagli
1200V, 40A, 7-PIN SMD, TRENCH-STSCT4036KW7TL1200V, 40A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST234 - Immediatamente$12.63Vedi i dettagli
750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STRSCT4026DW7TL750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR438 - Immediatamente$13.33Vedi i dettagli
750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STRSCT4045DW7HRTL750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR0 - Immediatamente$6.48Vedi i dettagli
1200V, 75A, 7-PIN SMD, TRENCH-STSCT4018KW7TL1200V, 75A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST704 - Immediatamente$23.23Vedi i dettagli
1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-STSCT4062KW7HRTL1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST2669 - Immediatamente$9.43Vedi i dettagli
750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STRSCT4045DW7TL750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR335 - Immediatamente$9.20Vedi i dettagli
SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268SCT2750NYTBSICFET N-CH 1700V 5.9A TO2680 - Immediatamente$2.75Vedi i dettagli
1200V, 43A, 3-PIN THD, TRENCH-STSCT4036KEHRC111200V, 43A, 3-PIN THD, TRENCH-ST289 - Immediatamente$13.75Vedi i dettagli
750V, 45M, 4-PIN THD, TRENCH-STRSCT4045DRC15750V, 45M, 4-PIN THD, TRENCH-STR3525 - Immediatamente$10.12Vedi i dettagli

Related Videos

Tamura Total Solutions
Tamura Total Solutions

Data di pubblicazione: 2024-08-20

ROHM'S 4th Generation of Silicon Carbide MOSFETs | First Look
ROHM'S 4th Generation of Silicon Carbide MOSFETs | First Look

Data di pubblicazione: 2023-09-20

High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability
High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability

Data di pubblicazione: 2023-06-22

Related Product Highlight

MOSFET SiC al carburo di silicio di 4ª generazione I MOSFET al carburo di silicio di 4ª generazione di ROHM sono progettati per offrire efficienza e prestazioni senza precedenti nelle applicazioni più esigenti.
MOSFET SiC di 4ª generazione I MOSFET SiC di 4ª generazione di ROHM sono caratterizzati da una bassa perdita di commutazione e dal supporto per una tensione di gate-source di 15 V che contribuisce al risparmio energetico del dispositivo.
Industrial Power Solutions ROHM’s reliable portfolio of power solutions includes a variety of applications within the industrial sector from SiC MOSFETs and gate drivers to IPMs and shunt resistors. Learn more at DigiKey today.

Related Articles and Blogs

Come ridurre le perdite, migliorare l'efficienza ed estendere l'intervallo di temperatura nelle applicazioni ad alta potenza I progettisti possono utilizzare i MOSFET SiC di 4ª generazione per migliorare notevolmente l'efficienza, abbassare il costo e ridurre le dimensioni dei circuiti di controllo ad alta tensione e ad alta potenza.
I semiconduttori ad ampio bandgap stanno ridefinendo il settore dei trasporti L'intero settore dei trasporti sta subendo una trasformazione radicale con soluzioni per auto elettriche e ibride e trasporti di massa meno inquinanti.
Semiconduttori ad ampio bandgap per applicazioni aerospaziali e satellitari I semiconduttori ad ampio bandgap offrono diversi vantaggi nella conversione di potenza, come l'aumento della densità di potenza e dell'efficienza e la riduzione delle dimensioni e del peso del sistema.

Related Product Training Modules

High-Power Devices for EV DC Fast-Charging Stations ROHM's power device offerings for DC fast-charging stations include silicon carbide (SiC), insulated gate bipolar transistor (IGBT), and super junction MOSFETs.
Industrial Motor Products: Part 1 - Power Devices/Gate Drivers ROHM’s power devices and gate drivers are optimized for industrial motor end applications.
4th Generation SiC MOSFETs This presentation will provide a brief overview of ROHM’s latest SiC trench MOSFETs and their advantages for power electronics applications.