Silicon Carbide MOSFET
STMicroelectronics
Unlike other SiC transistors like BJTs and JFETs, the SiC MOSFET is very easy to drive, similar to standard MOSFETs. A simple drive circuit reduces the number of components and complexity of the final design as compared to non-MOSFET SiC solutions.
Related Parts
| Immagine | Codice produttore | Descrizione | Tensione drain/source (Vdss) | Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Quantità disponibile | Prezzo | Vedi i dettagli | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | SCT30N120 | SICFET N-CH 1200V 40A HIP247 | 1200 V | 40 A (Tc) | 260 - Immediatamente | $15.92 | Vedi i dettagli |
![]() | ![]() | SCT20N120 | SICFET N-CH 1200V 20A HIP247 | 1200 V | 20 A (Tc) | 584 - Immediatamente | $9.80 | Vedi i dettagli |



