MOSFET SiC STPOWER

I MOSFET SiC STPOWER di STMicroelectronics offrono l'efficienza e l'affidabilità avanzate dei materiali ad ampia banda interdetta a una gamma più ampia di applicazioni a risparmio energetico come inverter per veicoli elettrici/ibridi, generazione di energia solare o eolica, azionamenti ad alta efficienza, alimentatori e apparecchiature per reti intelligenti. Con un intervallo di tensione esteso da 650 a 1700 V, questi MOSFET offrono eccellenti prestazioni di commutazione combinate con una resistenza nello stato on R_DS(ON) molto bassa per cifra di merito di area. I MOSFET SiC di ST consentono la progettazione di sistemi più efficienti e compatti che mai. I MOSFET SiC a 1200 V di ST presentano un'eccezionale temperatura nominale di +200 °C per una migliore progettazione termica dei sistemi di elettronica di potenza. Rispetto ai MOSFET al silicio, i MOSFET SiC presentano anche perdite di commutazione significativamente ridotte con una variazione minima rispetto alla temperatura.

Caratteristiche principali

• Dispositivi qualificati di grado automotive (AG)
• Capacità di gestione a temperature molto elevate (max. T_J = +200 °C)
• Perdite di commutazione molto basse (minima variazione rispetto alla temperatura) che consente il funzionamento a frequenze di commutazione molto elevate
• Bassa resistenza nello stato on rispetto all'intervallo di temperatura
• Semplice da pilotare
• Comprovato body diode intrinseco molto rapido e robusto