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G2R1000MT33J | |
|---|---|
Codice DigiKey | 1242-G2R1000MT33J-ND |
Produttore | |
Codice produttore | G2R1000MT33J |
Descrizione | SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7 |
Tempi di consegna standard del produttore | 20 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 3300 V 4 A (Tc) 74W (Tc) A montaggio superficiale TO-263-7 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | G2R1000MT33J Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Tubo | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 3300 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 20V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 1,2ohm a 2A, 20V | |
Vgs(th) max a Id | 3,5V a 2mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 21 nC @ 20 V | |
Vgs (max) | +20V, -5V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 238 pF @ 1000 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 74W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | TO-263-7 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Tubo
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 14.95000 | Fr. 14.95 |
| 10 | Fr. 13.52000 | Fr. 135.20 |
| 25 | Fr. 12.98400 | Fr. 324.60 |
| 100 | Fr. 12.21610 | Fr. 1’221.61 |
| 250 | Fr. 11.73604 | Fr. 2’934.01 |
| 500 | Fr. 11.38404 | Fr. 5’692.02 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 14.95000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 16.16095 |
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