TO-263-8
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TO-263-8
TO-263-7

G2R120MT33J

Codice DigiKey
1242-G2R120MT33J-ND
Produttore
Codice produttore
G2R120MT33J
Descrizione
SIC MOSFET N-CH TO263-7
Tempi di consegna standard del produttore
20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 3300 V 35A A montaggio superficiale TO-263-7
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
G2R120MT33J Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
3300 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
20V
RDSon (max) a Id, Vgs
156mohm a 20A, 20V
Vgs(th) max a Id
-
Carica del gate (Qg) max a Vgs
145 nC @ 20 V
Vgs (max)
+25V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3706 pF @ 1000 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
-
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-263-7
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
250Fr. 73.55300Fr. 18’388.25
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Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 73.55300
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 79.51079