


G2R120MT33J | |
|---|---|
Codice DigiKey | 1242-G2R120MT33J-ND |
Produttore | |
Codice produttore | G2R120MT33J |
Descrizione | SIC MOSFET N-CH TO263-7 |
Tempi di consegna standard del produttore | 20 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 3300 V 35A A montaggio superficiale TO-263-7 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | G2R120MT33J Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Tubo | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 3300 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 20V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 156mohm a 20A, 20V | |
Vgs(th) max a Id | - | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 145 nC @ 20 V | |
Vgs (max) | +25V, -10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 3706 pF @ 1000 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | - | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | TO-263-7 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 250 | Fr. 73.55300 | Fr. 18’388.25 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 73.55300 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 79.51079 |




